【导读】三星电子在下一代高带宽内存（HBM4）的研发与量产准备上取得突破性进展。消息称，其半导体DS事业部近期已通过HBM4产品的最终内部质量验证（PRA），这标志着该产品在良率与性能上已达到量产标准。通过融合其先进的1c纳米DRAM工艺与4nm逻辑工艺，三星成功解决了芯片堆叠中的散热与速度瓶颈。这一关键里程碑不仅验证了其技术竞争力，更被市场视为其将尖端制造能力转化为未来盈利增长的关键一步，有分析预测此举可能推动其2026年营业利润突破100万亿韩元。
三星电子已完成第六代高带宽存储器（HBM4）的研发，并内部完成了量产前的最后阶段——生产准备就绪认证（PRA）。
三星电子在下一代高带宽内存（HBM4）的研发与量产准备上取得突破性进展。消息称，其半导体DS事业部近期已通过HBM4产品的最终内部质量验证（PRA），这标志着该产品在良率与性能上已达到量产标准。通过融合其先进的1c纳米DRAM工艺与4nm逻辑工艺，三星成功解决了芯片堆叠中的散热与速度瓶颈。这一关键里程碑不仅验证了其技术竞争力，更被市场视为其将尖端制造能力转化为未来盈利增长的关键一步，有分析预测此举可能推动其2026年营业利润突破100万亿韩元。
三星的业绩预计将大幅增长。金融投资行业预计，该公司2026年的年度营业利润将接近或超过100万亿韩元，创历史新高。具体来看，2025年度营业利润预计在40万亿~42万亿韩元之间。证券公司预计，三星2026年的营业利润将达到至少84万亿~105万亿韩元，比今年增长2~2.5倍。尤其值得一提的是，预计仅DS部门2026年的营业利润就将达到77万亿~93万亿韩元。
三星电子营业利润大幅增长的背景在于HBM市场格局的转变。从2026年下半年开始，HBM市场将迅速从现有的第五代（HBM3E）过渡到第六代（HBM4）。预计三星电子明年的HBM出货量将达到105亿Gb，比今年增长约三倍。这将形成一个利润率显著提升的格局，随着高附加值产品HBM4占比的增加和技术完善度的提高，利润率也将大幅提升。
三星电子的业绩前景一片光明，因为即使产品价格上涨，市场需求也并未下降。近期有消息称，三星电子预计将把HBM4价格定在约为每件500美元，这比目前主流的HBM3E（约370美元）高出约50%。预计这将产生一种性能杠杆效应，即销量和价格同步上涨，这与明年HBM4市场的全面爆发不谋而合。
除了HBM之外，通用内存市场的供应短缺预计也将提振三星电子的业绩。业内人士预计，2026年服务器DRAM的需求（比特增长）将比今年增长35%。然而，普遍认为供应增长将仅限于23%。全球大型科技公司和人工智能（AI）服务器制造商已开始提前采购。11月份服务器DRAM的固定价格环比上涨约25%，就是典型的例子。由于三星电子将其有限的晶圆产能集中用于高利润的HBM和服务器DRAM，移动和PC DRAM的价格也在同步上涨。行业分析师预测，2026年第一季度通用DRAM的价格将比今年第四季度上涨超过20%。
三星电子通过同时拿下两大客户——英伟达图形处理器 (GPU) 和谷歌张量处理器 (TPU) 的HBM供应——提高了巩固其供应商优势市场的可能性。三星已完成向包括谷歌和英伟达在内的大型科技客户提交HBM4样品，迄今为止，在流程阶段尚未发现任何特殊的质量问题。
观察人士认为，三星电子最早可能在12月获得英伟达的最终质量认证 (Qual)。然而，多位业内人士一致认为，2026年初获得认证的可能性更大。他们表示，结合英伟达下一代AI加速器Rubin的发布计划，最终认证将在明年第一季度完成，届时产品将获得全面的质量验证。
业内人士表示：“AI内存市场正面临极其严峻的供应短缺，以至于竞争对手们纷纷表示，明年全年的产能预订已全部排满。三星电子凭借通过PRA认证，并将于明年加入HBM4的量产行列，不仅彰显了其卓越的制造竞争力，更将一举两得——既验证了自身的技术实力，又可通过压倒性的量产规模实现可观盈利。”
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