【导读】全球DRAM市场正经历一场结构性且重大的变革。华邦电总经理陈沛铭于法说会中明确表示，由于DRAM的技术标准与先进制程存在根本冲突，一旦晶圆厂制程推进至生产DDR5，就无法退回生产DDR4或DDR3产品。
全球DRAM市场正经历一场结构性且重大的变革。华邦电总经理陈沛铭于法说会中明确表示，由于DRAM的技术标准与先进制程存在根本冲突，一旦晶圆厂制程推进至生产DDR5，就无法退回生产DDR4或DDR3产品。
这一技术迭代导致的市场供需失衡，预计将使DDR5和DDR4的缺货潮持续至2027年都不会改变。
三大原厂（三星、SK海力士及美光） 正积极将产能转移至生产高带宽存储器（HBM）及DDR5，无法回头生产DDR4，虽然部分客户会升级改采DDR5，但DDR4的供应缺口短期内难以缓解。
短缺根源：技术迭代与产能转移的双重挤压
DDR4供应短缺的核心原因在于技术迭代与产能转移的双重挤压。
从技术层面看，DRAM制程微缩面临严峻挑战。DRAM的存储器单元结构为1T1C（一个读取晶体管和一个电容）。随着制程推进至10纳米级别后，电容值必须维持在10-20fF以上，但制程微缩会让电容的底部面积缩小，必须增加电容高度以维持电容值，这会导致宽高比（aspect ratio） 提高，进而增加蚀刻制程难度。
从产能分配看，AI与高效能运算（HPC） 带动对HBM及DDR5的需求爆发，市场从DDR4向DDR5过渡的速度超乎预期。三大存储器厂商的新产能几乎全力支援DDR5，导致旧世代产品供应量骤减。
市场影响：价格飙升，下游产业承压
DDR4的短缺已引发市场价格剧烈波动，并对下游产业造成显著冲击。
●价格大幅上涨：根据产业调查，部分NAND Flash供应商11月报价更一口气暴漲五成。另有报道指出，2025年下半年多家厂商全面上调DRAM报价，涨幅介于15%至30%之间。
●下游产业承压：工业电脑（IPC）与网通厂成为此波存储器涨价潮的"苦主"。工业电脑龙头研华直言，DDR4价格狂飙已侵蚀上季毛利率1%；网通大厂合勤控则表示，若DRAM报价续涨，恐影响毛利率约4至5个百分点。
华邦电应对：积极扩产，业绩创高
面对市场变局，华邦电积极调整战略，业绩表现亮眼。
公司在2025年第三季营收达217.7亿元，毛利率47%，纯利润29.4亿元，成功终结连续四季亏损。其中，DRAM业务环比增长18%，同比增幅高达33%；DDR4表现尤其亮眼，上季出货量季增一倍，本季占比将持续提高。
华邦电总经理陈沛铭表示，公司已感受到客户需求回温迹象，很多客户开始洽谈长时间订单，并成功打进部分以前无法接触的客户。公司对第4季及未来长期的成长前景表示乐观，预期营收、出货量和ASP都将迎来更大幅度的成长。
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为应对市场需求，华邦电正积极规划扩产。陈沛铭指出，高雄厂目前月产能1.5万片，厂区规划最高可达2.7万片规模，10月底董事会将敲定新投资计划，预计明年下半年扩产。此外，制程技术也將推进至16纳米。
未来展望：短缺常态化，供应链策略调整迫在眉睫
业界普遍认为，本轮DDR4短缺是结构性缺货，而非周期性波动。记忆体模组厂创见董事长束崇万直言，这波由AI推动的缺货潮是"30年來首見"，缺口之大前所未见。
面对这一市场变局，供应链企业需积极调整策略以降低风险。专家建议可采取以下应对措施：
●预认证替代方案：能迁移至DDR5的尽快验证；不能迁移的，趁最后购买（LTB）窗口锁定最后一批。
●多元化供应来源：关键料号不押单供，结合特许渠道与独立分销，既拿原厂保障，也留现货后路。
●区域化备库存：多区域设"安全桶"，避免地缘或自然灾害一次性把产线拉停。
●实时盯市：建立晶圆厂产能、客户优先级、行情报价三级预警。
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