【导读】2025年8月27-28日，第五届全球xEV驱动系统技术暨产业大会在上海落幕，芯联集成凭借在碳化硅（SiC）模块领域的技术积累与市场表现，荣膺“国产碳化硅模块TOP企业”称号。这是继2024年获得“电驱动技术创新奖”后，公司再次斩获行业权威认可，标志着其在新能源核心部件赛道的领跑地位进一步巩固。
一、技术筑基：从650V到3300V的全工艺覆盖
碳化硅模块是新能源产业的核心部件之一，广泛应用于新能源汽车主驱系统、光伏储能逆变器、数据中心电源等场景，其高效率、高可靠性的特性直接影响设备性能。芯联集成作为国内较早布局SiC技术的企业，已实现650V至3300V SiC工艺平台的全面覆盖，覆盖了从消费级到工业级的全场景需求。其中，650V SiC MOS芯片适用于光伏微型逆变器、消费类电源等小功率场景；1200V-1700V产品则针对新能源汽车主驱、工业变频器等中大功率应用；3300V高压SiC模块可满足数据中心高压电源、轨道交通等极端场景的需求。这种全工艺覆盖能力，使芯联集成成为国内少数能为客户提供“定制化SiC解决方案”的企业之一。
二、市场突围：新能源汽车主驱出货量亚洲前列
随着新能源汽车产业的爆发，SiC模块的市场需求呈指数级增长。芯联集成抓住这一机遇，将重心放在新能源汽车主驱系统的SiC模块研发与量产上。截至2025年上半年，公司SiC MOS芯片及模组在新能源汽车主驱系统的出货量已位居亚洲前列，其中车规级功率模组的交付量同比增长200% ，成为公司收入的核心增长点。这一成绩的背后，是芯联集成对“车规级可靠性”的严格把控——其SiC模块通过了ISO/TS 16949汽车行业质量体系认证，满足-40℃至150℃的宽温工作环境，以及1000次以上的热循环寿命要求，完全符合新能源汽车对“高可靠性”的需求。
三、产线升级：国内首条8英寸SiC MOSFET产线批量量产
2025年上半年，芯联集成迎来技术与产能的双重突破——国内首条8英寸SiC MOSFET产线正式实现批量量产。与传统6英寸产线相比，8英寸产线的晶圆面积增加了78%，单晶圆可切割的芯片数量提升了50%以上，大幅降低了单位芯片的生产成本。同时，该产线采用了“ trench gate（沟槽栅）”与“ field plate（场板）”等先进工艺，使SiC MOSFET的导通电阻（Rds(on)）降低至2.5mΩ·cm²以下，开关速度提升了30%，性能指标达到业界领先水平。这条产线的投产，不仅解决了国内SiC MOSFET“产能瓶颈”问题，更使芯联集成的产能规模跃居国内第一梯队。
四、生态协同：与小鹏汽车联合实现混合碳化硅量产
在新能源汽车领域，“成本与效率的平衡”是SiC模块普及的关键。2025年，芯联集成与小鹏汽车达成深度合作，共同研发混合碳化硅（SiC+Si）模块，并实现批量量产。这种模块采用“SiC MOSFET与硅IGBT并联”的架构，既保留了SiC模块的高开关效率（降低损耗20%），又通过硅IGBT降低了整体成本（比纯SiC模块低15%），完美解决了新能源汽车“续航与成本”的矛盾。此次合作的成功，标志着芯联集成在“生态协同”上迈出了重要一步，也为其SiC模块在更多车企的落地奠定了基础。
五、未来布局：加大研发投入，拓展关联产业
面对全球SiC市场的激烈竞争，芯联集成并未停下脚步。未来，公司将继续加大研发投入，重点攻克“高电压SiC模块”（如3300V以上）、“多芯片模块（MCM）”等前沿技术，提升产品的附加值。同时，公司将拓展关联产业，比如光伏储能、数据中心电源等领域，将SiC模块的应用场景从新能源汽车延伸至更广泛的新能源产业。此外，芯联集成还计划与更多车企、光伏企业建立战略合作伙伴关系，构建“技术-产品-应用”的完整生态链，巩固其在全球SiC市场的竞争优势。
结语
芯联集成的成功，源于其对“技术筑基”的坚持、对“市场需求”的敏锐把握，以及对“生态协同”的重视。从650V到3300V的全工艺覆盖，到国内首条8英寸SiC产线的量产，再到与小鹏汽车的混合碳化硅合作，每一步都彰显了其“成为国产碳化硅模块领跑者”的决心。未来，随着新能源产业的进一步升级，芯联集成有望继续发挥技术与产能优势，为全球新能源产业提供更高效、更可靠的SiC解决方案。
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