【导读】2025年第二季度，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据五大NAND原厂联合实施10%-15%产能削减，叠加AI算力需求爆发，推动存储价格强势回升。据TrendForce数据，Q2 NAND合约价环比上涨3%-8%，DRAM价格同步反弹3%-8%，显著优于市场预期，标志着持续两年的“存储寒冬”正式终结。
2025年第二季度，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据五大NAND原厂联合实施10%-15%产能削减，叠加AI算力需求爆发，推动存储价格强势回升。据TrendForce数据，Q2 NAND合约价环比上涨3%-8%，DRAM价格同步反弹3%-8%，显著优于市场预期，标志着持续两年的“存储寒冬”正式终结。
减产逻辑：供需失衡下的战略自救
● 产能调整：2025年Q1全球NAND库存水位高达12周（健康水平为6-8周），五大厂通过减产将产能利用率降至70%-75%，单季NAND产出减少约30万片（等效12英寸晶圆）。
● 技术升级对冲：三星率先量产300层以上3D NAND，美光推出QLC+PLC混合架构，通过提升单颗芯片容量（1Tb→1.33Tb）降低单位成本，缓解降价压力。
需求端爆发：AI与HPC成核心驱动力
● HBM需求激增：英伟达GB200等AI服务器推动HBM3e量产，Q2 HBM价格涨幅达8%，占总DRAM产能比例升至25%。
● 备货潮催化：全球供应链区域性重组加速，中国企业Q2存储采购量环比增长40%，提前锁定美国出口管制宽限期窗口。
价格走势与市场影响
未来展望：技术竞赛与产能博弈
● 技术路线：SK海力士计划2026年推出500层NAND，长江存储加速Xtacking 4.0研发，层数竞赛白热化。
● 产能策略：美光警告“过度减产恐引发供应短缺”，三星拟Q3回调产能至85%，行业或进入“动态平衡”新周期。
●价格预测：野村证券预计2025年NAND均价同比上涨15%-20%，DRAM涨幅达10%-15%，HBM溢价维持30%以上。
结语
2025年存储市场的剧烈波动，折射出半导体产业从“规模扩张”向“精准调控”的战略转型。五大厂联合减产不仅快速修复供需关系，更凸显巨头对定价权的掌控。随着AI与算力革命深入，存储芯片正从大宗商品转向技术定制化赛道，行业洗牌或将催生新一轮“技术+生态”竞争格局。
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