【导读】据Omdia最新数据显示，2025年全球NAND闪存产业正经历结构性调整。中国头部存储企业（注：应企业要求不具名）武汉工厂产能持续扩张，预计全年晶圆产量将达151万片，较2024年增长24.8%，首次超越美光（约130万片/年）跃居全球第四。这一增长主要得益于200层以上3D NAND良率突破，使其在国内市场占有率提升至32%。
据Omdia最新数据显示，2025年全球NAND闪存产业正经历结构性调整。中国头部存储企业（注：应企业要求不具名）武汉工厂产能持续扩张，预计全年晶圆产量将达151万片，较2024年增长24.8%，首次超越美光（约130万片/年）跃居全球第四。这一增长主要得益于200层以上3D NAND良率突破，使其在国内市场占有率提升至32%。
与积极扩产的中国厂商形成鲜明对比，韩系厂商延续减产策略。三星电子2025年NAND晶圆产量预计降至475万片，同比缩减6.2%；SK海力士则将年产量控制在198万片，降幅达5.7%。值得注意的是，日本铠侠也加入减产行列，反映全球存储市场仍面临价格下行压力。
中国厂商逆势扩张 产能首超美光
中国存储龙头企业实现技术与产能双重突破：
● 2025年NAND产能预计达151万片晶圆，超越美光（130万片）跃居全球第四[citation:用户消息]
● 武汉工厂扩产加速，混合键合技术（Hybrid Bonding）实现270层3D TLC NAND量产，芯片密度达20.47Gb/㎟[citation:用户消息]
● 国产NAND市场份额从2024年5%提升至10%，估值突破1600亿元，超越西部数据
技术竞赛聚焦3D堆叠与存储密度
● 韩系厂商：三星推进286层产品，SK海力士聚焦321层工艺，但旧产线升级导致短期产能受限
● 中国厂商：第五代3D NAND实现232个有源层，通过晶栈Xtacking 3.0技术将I/O速率提升至3200MT/s
● 技术代差：中国企业在混合键合、芯片尺寸优化等领域已接近第一梯队，但在最高层数（321层）仍存1-2年技术差距[citation:用户消息]
核心图表：
市场影响与未来趋势
● 价格走势：消费级NAND价格或持续探底至2025H2，企业级SSD因AI需求支撑价格企稳
● 竞争策略：三星通过专利授权获取中国混合键合技术，加速286层产品商业化
● 地缘风险：美国出口管制倒逼中国完善存储产业链，长江存储90%供应链实现国产化
当前全球NAND市场呈现"东进西退"态势：中国厂商凭借产能扩张与技术迭代双轮驱动，市场份额有望突破18%；而韩系厂商则通过主动减产维护价格体系，等待AI服务器等高端市场需求回暖。这场跨越技术代际与产能规模的博弈，或将重塑全球存储产业竞争版图。
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