【导读】2025年第二季度，全球存储市场因一场政策调整掀起波澜。美国政府宣布暂停存储芯片进口关税90天，直接引发产业链紧急备货，推动DRAM与NAND现货价格单周跳涨12%。市场数据显示，DDR4合约价逆势实现3%-8%的季度增长，彻底扭转机构此前“季减0%-5%”的悲观预期，而DDR5因技术迭代成本高企，价格仍存不确定性。这场由关税政策触发的“抢跑式采购”，正在重塑存储行业的短期逻辑。
存储市场迎来变局：关税窗口期触发产业链战略备货潮
2025年第二季度，全球存储市场因一场政策调整掀起波澜。美国政府宣布暂停存储芯片进口关税90天，直接引发产业链紧急备货，推动DRAM与NAND现货价格单周跳涨12%。市场数据显示，DDR4合约价逆势实现3%-8%的季度增长，彻底扭转机构此前“季减0%-5%”的悲观预期，而DDR5因技术迭代成本高企，价格仍存不确定性。这场由关税政策触发的“抢跑式采购”，正在重塑存储行业的短期逻辑。
政策窗口催生备货博弈
关税暂停的90天窗口期，成为ODM/OEM厂商的战略机遇。戴尔、联想等头部企业率先扩大存储采购规模，其第二季度DRAM订单量环比激增45%，其中AI服务器专用高带宽内存占比提升至38%。供应链消息称，仅5月份中国市场的NAND进口量就突破35亿美元，较4月增长60%，SK海力士的176层3D NAND芯片一度出现渠道断货。分析指出，这种“政策红利型”需求已导致渠道库存降至1.2个月的历史低位，部分型号NOR Flash价格被推高5%-7%。
技术代际分化加剧
在本轮行情中，不同技术路线的产品呈现冰火两重天。DDR4凭借成熟的生态和性价比优势，在数据中心扩容需求推动下，256GB RDIMM模组价格突破180美元，较年初上涨23%。反观DDR5，尽管性能提升30%，但配套主板成本居高不下，其市场份额仍徘徊在15%左右。值得注意的是，面向物联网设备的低功耗DDR3需求疲软，1Gb颗粒价格维持在0.85美元，与年初持平。这种分化暴露出存储行业正处于技术过渡期的阵痛——旧产能尚未出清，新生态尚未完全建立。
暗藏隐忧的繁荣
市场表面的火热难掩深层隐忧。摩根士丹利最新报告指出，当前价格回升主要依赖政策刺激下的恐慌性备货，而非真实需求增长。据统计，第二季度全球智能手机出货量同比下滑2%，PC市场也仅微增1.5%，两大传统需求引擎仍未恢复元气。更关键的是，企业级存储采购中已有30%的订单属于“超前备货”，这意味着若下半年AI算力投资或消费电子复苏不及预期，可能引发新一轮库存调整。
AI与存算一体成破局关键
行业将破局希望寄托于技术变革。美光科技宣布其HBM4E内存将于2026年量产，带宽较当前产品提升50%；三星则加速推进存算一体芯片研发，其原型产品在AI推理任务中能效比提升8倍。这些创新正在重构存储价值——从单纯的数据仓库转向智能计算的参与者。据测算，到2025年末，支持存内计算的存储芯片市场规模将达120亿美元，年复合增长率超过65%。
这场由关税政策引发的市场躁动，本质上是存储行业转型期的应激反应。当短期政策红利消退后，真正的较量将回归到技术迭代与生态构建的底层逻辑。那些能在存算融合、晶圆堆叠等前沿领域建立壁垒的企业，方能在新一轮产业周期中掌握主动权。
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