【导读】SK海力士在尖端DRAM技术上迈出关键一步：其第六代10纳米级（1c）工艺良率近期突破80%，较2023年下半年的60%显著提升。该工艺的电路线宽压缩至11-12纳米，使得16GB DDR5内存芯片的晶体管密度提升15%，制造成本降低约18%。这一里程碑意味着1c DRAM正式跨入量产稳定期，为下一代高性能内存普及奠定基础。
良率跃升背后的技术突破
SK海力士在尖端DRAM技术上迈出关键一步：其第六代10纳米级（1c）工艺良率近期突破80%，较2023年下半年的60%显著提升。该工艺的电路线宽压缩至11-12纳米，使得16GB DDR5内存芯片的晶体管密度提升15%，制造成本降低约18%。这一里程碑意味着1c DRAM正式跨入量产稳定期，为下一代高性能内存普及奠定基础。
HBM需求挤压下的产能困境
尽管技术取得突破，SK海力士却面临产能分配的难题。为满足AI芯片爆发带来的HBM需求（2024年HBM市场预计增长280%），公司已将70%的先进制程产能转向HBM3/3E生产。这导致1c DRAM的晶圆月投片量被限制在3万片以内，仅为三星电子同类产能的1/3。更值得关注的是，计划年底投产的清州M15X工厂将重点扩建1b工艺产线，而明年发布的HBM4仍将采用1b技术，1c DRAM的产能释放或推迟至2025年下半年。
三星的产能与技术反攻
在存储巨头竞争中，三星正凭借产能优势发起反击。其DRAM月产能达45万片晶圆，是SK海力士（30万片）的1.5倍。为夺回技术主导权，三星加速1c DRAM研发，计划在HBM4中导入该工艺，并将良率目标设定为2024年底达85%。这种双重攻势对SK海力士形成压力——尽管后者在HBM市场占据53%份额，但三星仍以36%的DRAM市占率稳居行业第一。
万亿投资与未来变局
SK海力士的破局关键落在总投资120万亿韩元（约880亿美元）的龙仁半导体集群。这座全球最大半导体基地规划DRAM月产能80万片，但需至2027年才能投产。短期来看，1c DRAM的技术红利可能被三星的产能规模稀释；长期而言，龙仁工厂将决定其在埃米级制程竞赛中的话语权。行业分析指出，1c良率突破不仅是技术能力的证明，更是为未来1d/1e工艺积累EUV光刻经验的关键跳板。
当前存储产业的竞争已从单一技术指标转向“工艺-产能-生态”的全维度对抗。SK海力士的良率突破虽亮眼，但在AI浪潮催生的产能争夺战中，如何平衡HBM与DRAM的资源配置，将成为其能否守住技术领先地位的核心命题。
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