【导读】全球存储芯片市场正经历着新一轮的价格波动周期。在经历长时间的价格低迷后，市场近期显现出企稳回升的明确信号。这波价格反弹的导火索，正是多家主流存储厂商集体释放的涨价信号，引发DRAM和NAND闪存现货报价的全面上扬。
全球存储芯片市场正经历着新一轮的价格波动周期。在经历长时间的价格低迷后，市场近期显现出企稳回升的明确信号。这波价格反弹的导火索，正是多家主流存储厂商集体释放的涨价信号，引发DRAM和NAND闪存现货报价的全面上扬。
厂商“控量保价”策略显效
供应链消息显示，自3月起主流存储厂商已启动产能动态调整，美光、三星相继向客户发出涨价通知函，明确将二季度DDR4合约价上调10%-15%。这一动作迅速传导至现货市场，8GB DDR4颗粒单月涨幅达12%，16GB DDR4同步上涨9%，扭转了此前“供过于求”的市场预期。
值得关注的是，此次涨价潮呈现全品类联动特征。DDR3 4GB颗粒现货价单月跳涨10%，512Gb TLC闪存晶圆涨幅达6%，与2月不足1%的微弱波动形成鲜明对比。集邦咨询分析师指出，上游厂商通过限制晶圆投片量、延长设备维护周期等组合拳，正推动行业从“清库存”转向“保利润”模式。
下游厂商陷“抢货焦虑”
面对价格波动，下游模组厂被迫调整策略。威刚科技等企业已启动“超前备货”，其DRAM库存周期拉长至16周，NAND库存达12周，远超行业平均水平。但美光在涨价函中设置的“超额订单熔断机制”——即超量订单可能遭延迟或取消——进一步加剧供应链紧张。有渠道商透露，部分中小型厂商因现金流压力，已出现“高价锁单、低价抛售”的套利行为。
DDR5倒逼效应显现
市场出现结构性分化：DDR5因16GB产品单月8%的涨幅，迫使部分消费端需求回流至DDR4。研调机构TrendForce数据显示，当前DDR4仍占DRAM总出货量的65%，其价格弹性对整体市场平衡作用显著。不过，这种“以价换量”的策略正引发争议——三星西安工厂将Q2的DDR4产能削减20%，转而向DDR5倾斜，这可能导致下半年DDR4供应再度趋紧。
过热风险若隐若现
尽管厂商宣称涨价是为维持研发投入和健康库存水位，但业内担忧人为干预可能扰乱市场节奏。以DDR4 8GB为例，当前合约价较成本线仍有15%-20%溢价空间，若二季度涨幅超预期，或压制PC、工控等终端市场需求。历史数据显示，2021年存储厂商联合提价后，曾引发长达半年的渠道库存积压。
眼下存储行业正处于微妙平衡点：既需价格回升修复财报，又要避免重蹈“涨价-囤货-暴跌”的周期覆辙。随着长江存储、长鑫存储等中国厂商加速扩产，这场全球存储定价权的博弈或将进入新阶段。
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