【导读】韩媒报道，存储大厂三星将第六代10纳米级1c DRAM制程开发延后6个月，到6月才完成。三星之前宣称第六代10纳米级1c DRAM制程2024年底开发完并量产。
韩媒报道，存储大厂三星将第六代10纳米级1c DRAM制程开发延后6个月，到6月才完成。三星之前宣称第六代10纳米级1c DRAM制程2024年底开发完并量产。
但是，三星于2022年12月开发出第五代10纳米级1b DRAM制程，并于2023年5月宣布量产之后，就一直没有1c DRAM状况的消息。
如果第六代10纳米级1c DRAM 制程从开发完成到量产的时间约为正常的6个月时间，则三星实际量产的时间预计将在2025年底。
而这样的时程，几乎也影响了三星当前正面临生死关头的HBM产品的发展。
以1c DRAM制程为例，其核心产品是以DDR5内存为主，而HBM则是其衍生产品，开发时间会落后核心产品的时间。
这代表着一旦核心产品延后到2025年底量产，HBM量产可能会在2025年之后进行。
这相较于三星先前宣布将于2025年下半年将1c DRAM制程用于HBM4、并量产的情况有所改变，也影响三星HBM市场竞争力。
三星计划上半年全力投入六代10纳米级1c DRAM制程，以尽快提高良率。
由于竞争对手SK海力士选择稳定方法，第五代10纳米级1b DRAM制程用于HBM4。
但三星展现大跃进决心，以快速提高性能和能效。而要达成目标，最重要的就是尽快量产。
韩国半导体产业人士指出，三星正在修改1c DRAM部分设计。
另外，三星电子为应对其12nm级DRAM内存产品在良率和性能上的双重挑战，已决定在改进现有1b nm工艺的同时，从头设计新版1b nm DRAM。
该项目名为D1B-P，专注于提升能效和散热表现，采用了与三星第六代V-NAND改进版制程V6P相同的命名逻辑。
目前，现有12nm级DRAM工艺的良率仅为60%左右，远低于业界大规模量产所需的80%~90%。
为加速D1B-P项目的进展，三星电子已在2024年底紧急订购了必需设备，预计该制程将于2025年内量产，最早可能在今年2~3季度推出。
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