【导读】根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。
12月9日消息，根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。
此前的消息显示，三星电子计划于2025年2月在美国举行的2025年国际固态电路会议（ISSCC）上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存，并且预计将于2025年下半年正式开始量产。不过，一些市场专家预测，如果加快进程，大量生产的阶段可能会在明年第二季结束时开始。
除了400层NAND Flash闪存之外，三星电子2025年增加其先进內存产品线的产量。其中，三星电子计划在平泽园区安装新第9代（286层堆叠）的NAND Flash闪存生产设施，月产能为30,000至40,000片晶圆。此外，在中国西安工厂，三星将继续将128层堆叠（V6）NAND Flash闪存生产线，转换为236层堆叠（V8）NAND Flash闪存产品制程。
报道指出，三星电子400层堆叠NAND Flash闪存的开发代表了相关技术的重大进步。三星电子早在2013年就推出的3D NAND Flash闪存，提升了容量与读取速率之后，随着最新的400层堆叠TLC NAND Flash闪存的开发完成，显示哲该公司在相关技术上的显著进步。
三星电子目前在全球NAND Flash闪存市场市占率取得领先的位置，市占率为36.9%。不过，SK海力士率先在2023年量产238层堆叠的NAND Flash闪存，最近又宣布计划量产321层堆叠的NAND Flash闪存，带给三星很大压力。
NAND Flash闪存市场近期受到多种因素的影响，包括消费者需求、定价趋势，以及人工智能（AI）和数据中心等数据密集型应用的兴起，在数据中心用NAND Flash的销售量不断增加情况下，市场需求逐渐加温。然而，11月128Gb MLC的产品近期的交易价格下降了29.8%，均价为2.16美元。根据市场调研机构TrendForce的分析，虽然2024年第四季NAND Flash价格预计下跌了3-8%，但企业级固态硬盘（SSD）仍预计将上涨了5%。
报道强调，在三星电子准备大规模生产400层堆叠TLC NAND Flash闪存的同时，该公司也专注于优化晶圆良率。目前NAND Flash研发阶段的良率为10-20%。该技术成功转移到生产线后，练绿的持续提升对于达成更高的产量和满足市场需求将成为重要关键。
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