【导读】研究机构TrendForce集邦咨询发布的最新存储器产业分析报告显示，受惠于位元需求增长、供需结构改善拉升价格，加上HBM（高带宽存储器）等高附加价值产品崛起，预估2024年DRAM内存产业营收年同比增长75%，NAND Flash闪存产业营收年增长77%。而2025年产业营收将创历史新高，其中DRAM内存年增约51%、NAND闪存年增长29%，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，不过存储器买方成本压力将随之上升。
研究机构TrendForce集邦咨询发布的最新存储器产业分析报告显示，受惠于位元需求增长、供需结构改善拉升价格，加上HBM（高带宽存储器）等高附加价值产品崛起，预估2024年DRAM内存产业营收年同比增长75%，NAND Flash闪存产业营收年增长77%。而2025年产业营收将创历史新高，其中DRAM内存年增约51%、NAND闪存年增长29%，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，不过存储器买方成本压力将随之上升。
TrendForce集邦咨询估计，DRAM均价在2024年增加53%、2025年增加35%的条件下，进一步推升2024年DRAM营收增长75%达907亿美元，2025年营收增长51%达1365亿美元。
该机构表示，驱动DRAM营收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。
此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。据估计，DDR5将分别贡献2024、2025年服务器DRAM位元出货量40%、60%~65%，LPDDR5/5X会贡献2024年、2025年移动平台DRAM位元出货量50%、60%。
机构估计，2024年NAND闪存营收将增长77%达到674亿美元；2025年在大容量QLC（四层式存储单元）企业级SSD（固态硬盘）崛起、智能手机采用QLC UFS（通用闪存存储）、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏等4项因素带动下，NAND闪存营收将增长29%至870亿美元。北美CSP（云服务提供商）已开始在推理用AI服务器大量采用QLC企业级SSD，尤其是大容量规格。TrendForce集邦咨询预估，QLC将贡献2024年NAND闪存位元出货量20%，该比例将在2025年再提升。在智能手机应用方面，QLC预计逐步渗透UFS市场，部分中国智能手机厂商预计于2024年第四季起采用QLC UFS方案，苹果则预计2026年开始将其导入iPhone。
TrendForce集邦咨询表示，存储器产业营收创纪录背景下，原厂将有足够现金流加速投资。预估2025年DRAM、NAND闪存产业资本支出分别年增25%、10%，且有机会上调。此外，存储器生产规模提升将带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，不过存储器价格上涨将增加电子产品成本，ODM（原始设计制造商）和OEM（原始设备制造商）较难完全将成本反映在零售价上，利润将被压缩，终端销量也可能受到影响，导致需求下滑。
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