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DRAM产业有望迎来大缺货

发布时间:2024-07-17 责任编辑:lina

【导读】据台媒报道,AI服务器需求急速拉动,韩系存储大厂强攻HBM商机,台系供应链近期传出,三星电子HBM认证近期将可望拍板定案,产能排挤效应将可望在下半年加速产生。


据台媒报道,AI服务器需求急速拉动,韩系存储大厂强攻HBM商机,台系供应链近期传出,三星电子HBM认证近期将可望拍板定案,产能排挤效应将可望在下半年加速产生。


DRAM产业有望迎来大缺货


供应链预料,存储原厂至少挪移约20~30%产能,供应紧缺将进一步推动DDR5价格持续调涨。


第2季消费性电子需求疲弱不振,台系存储业者指出,7月上旬买气依然冷淡,不过三星已提出7月报价,DRAM价格预计调涨10~15%,NAND Flash约将调升10%左右。


但存储模组业者表示,第2季库存去化并不顺利,尽管下半年进入传统出货旺季,并预期新品推出将刺激消费者换机需求,但对第3季采购意愿将趋于保守观望。


业界传出,先前三星HBM受到散热瓶颈而迟迟未能通过认证,让竞争同业SK海力士、美光凭借生成式AI商机,产业领头大哥错失AI成长势头,近来引发市场看衰质疑。


不过多家台系业者先后得到消息,三星HBM3E将可望于第3季获得认证出货,待相关程序完成后,将可望量产供货。


据透露,三星的部分供应链近期接获消息,要尽快提前下单采购及预定产能,随着三星HBM下半年开始顺利出货,目前三星内部的产能调配将加速推动,产线重心转移至HBM 。


由于HBM成为存储原厂的获利主要来源,长期订单将带来丰厚毛利率,对于DRAM产能排挤效应将更趋显著,尤其DDR5将首当其冲面临供不应求。


不过三星方面并未证实,先前曾传出三星收到英伟达的HBM3E Qualtest PRA(产品准备批准)通知,并展开产线供应规划,但遭到三星否认。


虽然下半年的市场复苏需求缓慢,但存储业界预期,第3季底前将可望迎来备货增温的复苏现象,而存储原厂虽然陆续增加资本支出,但新增产能跟不上HBM成长的速度,不仅服务器存储需求先启动,接下来的AI PC、手机换机动能等,将陆续扩散至AI相关应用,推动存储产业景气周期延伸至2025年的成长荣景。


台系存储供应链认为,三星HBM验证的消息可望在近期三星财报会议获得确认,近期确实有不少业者听闻相关消息。


但从产业实际面来看,现在是上游原厂硬要涨价,但是并不缺货,因此下游渠道端也不急着拉货,假使三星HBM验证瓶颈顺利通过,产业大缺货的现实条件可望确立,终端客户就不用再观望,市场缺货的预期将加速业界重启备货的需求。


市场预计,AI带动整体服务器设备升级,服务器用SSD第3季涨幅将能上看10~15%之间,服务器DDR5在供应吃紧下,第3季也可望看涨10~15%,下半年DDR5的价格预料将有15~25%成长空间。


而DDR4虽然近期来处于库存去化的过渡期,但存储大厂DDR4供应将是有减无增,后续DDR4仍将有看涨的空间。


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