【导读】据韩媒《朝鲜日报》报道,美光进军高带宽内存(HBM)市场,打破了三星电子和SK海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者,但美光在第二季度开始向英伟达供应少量产品,在HBM领域形成了三路竞争。
据韩媒《朝鲜日报》报道,美光进军高带宽内存(HBM)市场,打破了三星电子和SK海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者,但美光在第二季度开始向英伟达供应少量产品,在HBM领域形成了三路竞争。
业内人士称,目前正在生产第五代HBM产品HBM3E的三星、SK海力士和美光正在展开一场技术竞赛。SK海力士目前在产量和供应方面处于领先地位,已于第二季度开始量产HBM3E。
SK海力士是这三家公司中最先通过英伟达资格测试并成为主要供应商的。行业估计表明SK海力士的HBM3E产量已经稳定,据报道营业利润是DRAM的两倍。
然而,SK海力士在扩大HBM3E产能方面面临挑战。一位知情人士表示:“英伟达正在向SK海力士施压,要求其增加供应,但随着HBM3E和上一代HBM3的生产,可用产能几乎已经达到极限。”
由于良率问题,美光进入市场时供应有限。根据美光第三财季收益报告,该公司在3月至5月期间向英伟达出售了价值1亿美元的HBM3E。鉴于HBM3E的单位成本较高,该数字表明供应量不大。
美光科技还面临良率挑战。该公司的公开数据显示,尽管HBM的价格通常比DRAM价格高出两到三倍,但其HBM业务的运营利润率并不如DRAM业务那么强劲。这表明美光的HBM业务尚未完全盈利。
一位半导体业内人士表示:“美光已经宣布明年将开始量产和供应HBM3E,因此今年内供应量不太可能大幅增加。”,“对于英伟达来说,目前SK海力士的供应不足,需要加速三星的HBM3E质量认证,以促进AI加速器的销售。”
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