【导读】据韩媒BusinessKorea报道，美光科技采取大胆的战略举措，跨越第四代高带宽内存HBM3，直接进军第五代HBM3E，旨在抢占下一代HBM市场的重要份额。这一决定已经开始得到回报，美光获得了Nvidia的订单并开始增加供应量，最终于去年底向Nvidia全面供应HBM3E。
据韩媒BusinessKorea报道，美光科技采取大胆的战略举措，跨越第四代高带宽内存HBM3，直接进军第五代HBM3E，旨在抢占下一代HBM市场的重要份额。这一决定已经开始得到回报，美光获得了Nvidia的订单并开始增加供应量，最终于去年底向Nvidia全面供应HBM3E。
3月份，SK海力士开始量产并交付8层HBM3E，三星也于4月份紧随其后。4月底，SK海力士原计划在今年Q3完成12层HBM3E的开发，并于明年供货。然而，仅仅一周之内，SK海力士就修改了路线图，“5月份提供样品，第3季度量产”。
据业内人士消息，美光在2024财年第3季度财报电话会议上宣布，其第五代HBM3E在此期间的收入超过1亿美元。这一里程碑凸显了美光科技积极进军HBM市场，预计明年将占据超过20%的市场份额，并计划将份额提高至25%。
韩国投资证券评论了三星的进展，表示：“三星的HBM3E Nvidia认证正在取得进展，目标是在第三季度完成8层，在第四季度完成12层。如果没有三星电子，就不可能确保充足的HBM供应。从Nvidia的角度来看，它别无选择，只能积极争取三星电子的认证。”
三星电子在其HBM战略中一直积极主动，发言人表示：“今年，我们将HBM供应量比去年增加了三倍多，以位数计算。明年，我们计划供应量是去年的两倍多就像今年一样。”三星目前正在向客户供应12层产品样品，并计划明年量产12层HBM3E。
目前占据HBM市场53%份额的SK海力士决定将原定于2026年量产的12层HBM4提前至明年。该公司还计划在其清州M15x工厂建立一个集成的HBM生产工艺，包括EUV设备，计划于2025年竣工，并于2026年第三季度投入运营。
拥有9% HBM市场份额的美光科技正在考虑将其马来西亚工厂转变为HBM专用生产线，并扩大其在台湾台中的HBM生产线。此外，美光在日本的新广岛工厂将作为HBM生产基地，进一步巩固其成为HBM市场主要参与者的承诺。
NH Investment & Securities强调了竞争格局，表示：“HBM比例的增加和低产量将导致DRAM供应减少。最终，对HBM具有竞争力的SK海力士和三星电子来说，有利的环境将持续下去。”在供应短缺的情况下，它具有数量优势。”
随着对高性能计算、人工智能应用和GPU的需求持续激增，HBM市场主导地位的争夺正在加剧。美光的战略决策和HBM技术的快速进步使其成为SK海力士和三星电子等老牌巨头的强大竞争对手。未来几年对于决定这些公司如何驾驭不断变化的格局并满足半导体行业不断增长的需求至关重要。
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