供应链透露，上游原厂HBM订单不仅2025年预订一空，订单能见度甚至将看到2026年第1季，但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。

大客户NVIDIA的AI芯片供不应求，顺利打入供应链的SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给NVIDIA的HBM月产能约当6万多片，新厂建设及扩充产能将势在必行。

SK海力士先前公布将在清州设置M15X产线作为新DRAM生产基地，并推动在龙仁半导体园区建设新厂。

美光也计划在广岛兴建DRAM新厂，预定2026年初动工、最快2027年底前完成厂房建设，虽然DRAM大厂持续加码投资产能，但2025-2026年整体产能增加幅度十分有限。

业界指出，HBM生产周期较DDR5多出1.5-2个月，对晶圆位元消耗量也远大于传统的DDR5，若以HBM3E晶圆消耗是DDR5的3倍多，到了2026年进入HBM4，其消耗将可能达到DDR5的5倍。

相较于NAND Flash增产必须考量市场供需及产业竞争等因素，目前业界对于NAND增产较趋于谨慎，但三大厂增加DRAM产能已经持续进行。

HBM产能消耗庞大，虽然SK海力士和美光瓜分HBM3E市场，但过去2年来缺乏资本支出投入导致产能规模受限，美光单月HBM产能仅约3,000片，相当于SK海力士的1/20供应比例，若要达成美光宣称HBM市占率约2成的目标，后续扩产必将以HBM为重心。

由于HBM堆叠制程及技术门槛，良率的爬坡期也比传统DRAM更为困难，业界估计，SK海力士从HBM3量产拔得头筹，维持市场领先的第一地位，其良率表现成为产业指标，相较之下，美光从2024年HBM3E才正式加入市场战局，短期内良率仅约SK海力士的一半左右。

目前三星电子受限于散热、功耗等因素影响，至今HBM3E尚未敲开NVIDIA大门，缺乏大量出货的实战经验下，良率改善的差距恐将持续拉大。

外界普遍认为，尽管三星暂时掉队，未能跟上HBM量产先机，但NVIDIA与三星过去合作已久，三星也计划将大幅扩充产能3倍跳跃增长，庞大产能将有助于舒缓NVIDIA供应不求的订单，预期2024年底三星仍有机会跟上NVIDIA的供应节奏。

不过若是三星迟迟未能达标，SK海力士及美光的扩产脚步已持续推动，恐将导致排挤效应，从良率及产能分头并进，继续拉大领先三星的差距。

国际大厂竞逐HBM战场，导致标准型DRAM供应大幅缩减，模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到了年底前还有10-20%涨幅，但伴随而来的风险，若DDR5价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。