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DRAM将迎供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%

发布时间：2024-06-13 责任编辑：lina

【导读】摩根士丹利在新一期报告中指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高。人工智能的快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡。

DRAM将迎供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%

6月12日消息，摩根士丹利在新一期报告中指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高。人工智能的快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡。

摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。

摩根士丹利预计，到2025年，HBM市场份额占比将增长，整体市场供应不足将更明显：预计到2025年，HBM总可寻址市场（TAM）预计将显著增长，从2025年的370亿美元增长到2027年的700亿美元，市场份额将占整个DRAM市场的30%以上，混合价格将上涨10%以上。

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