【导读】存储产品现货价从2023年下半一路上涨，虽然DRAM涨幅不如NAND Flash强劲，大致仍呈现逐月稳定调升的走势，不过终端销售需求未见好转，渠道端备货需求放缓，DRAM现货价反转下滑，为后续调涨动能带来变数。
存储产品现货价从2023年下半一路上涨，虽然DRAM涨幅不如NAND Flash强劲，大致仍呈现逐月稳定调升的走势，不过终端销售需求未见好转，渠道端备货需求放缓，DRAM现货价反转下滑，为后续调涨动能带来变数。
DRAM现货价格存变数
存储产业度过谷底周期，上游原厂积极调整产能供给，并转进至DDR5、HBM等产品，DRAM业务相继由亏转盈，并进一步提高产能利用率。
供应链预期，在供给端强势主导下，价格下跌不易，合约价将持续上涨，虽然原厂希望调高第2季涨幅至10-15%，但经过买卖双方拉锯，预料第2-3季单季涨幅约落在3-8%。
AI热潮带来声势浩大，现阶段没有人看坏存储产品增长动能，业界也了解价格愈跌不易，不愿轻易放出低价库存，但实际吃到生成式AI商机的业者仅有少数大厂。
从终端销售表现来看，消费买气确实十分平淡，加上新年备货需求已过，现货价格逐渐回归市场实际需求。
观察近来现货价格变化，2月DRAM现货价涨幅普遍趋缓至1-2%，以DDR4 8Gb为例，从2月底价格达到近期高点后，自3月起价格逐步下跌，DDR4 8Gb单月跌价幅度约达3-4%。
较大容量的16Gb跌幅相对缓和约1-2%，显见主流消费的涨价承接力道较薄弱。
DRAM现货价格从2023年10月起进入全面上涨的局面，部分消费性应用客户陆续回补库存，由于上半年终端销售仍处于淡季，第1季进入尾声后，市场成交量能不足，市况需求并未显著回升，原厂成交价与市场期望出现断层落差。
部分资金较有压力的业者，需要先跑货来调度变现周转，导致近期现货市场价格出现震荡，尤其是中国市场买气低迷，美国、东南亚等地区销售相对稳健。
业界指出，生成式AI加速HBM及DDR5采用，原厂明显改善获利，导致终端市场议价空间受到排挤，虽新PC平台逐渐转往DDR5，但上半年AI PC增长力道并不明朗，能否实际推动市场换机的需求仍有待观察。
NAND价格涨价态势不减
NAND Wafer稳步上扬趋势，512Gb Wafer价位在3月提升至4.05美元，涨幅达14%，业界认为，实际成交价已上看至4.2美元。
从市场报价来看，1Tb TLC或1Tb QLC Flash Wafer价格，分别上涨7.55美元及7.00美元大关。
过去业界认为AI服务器直接受惠者为HBM、DDR5等高阶产品，但近来大容量企业级SSD需求却意外火热，由于AI服务器建设需求庞大，SSD比起传统HDD将能大幅降低功耗而带动大容量SSD短期内需求成长，支撑NAND价格持续升高，将是SSD产品中涨幅最为强劲的应用领域。
NAND原厂从第2-3季将可望逐步摆脱亏损，如今512Gb Wafer报价已来到近2年来的相对高点，下半年市场价格调升幅度可能将开始趋缓。
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