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原厂减产带动存储涨价效应,终端需求回温要看下半年

发布时间:2024-04-01 责任编辑:lina

【导读】据台媒《经济日报》分析,过去二年来,受到通胀、升息及战争影响,PC/NB、手机、电视等消费型电子疲软,导致存储及面板库存过高,价格崩跌,双D大厂不堪亏损,纷纷祭出减产,去年第四季开始减产效应浮现,价格回稳,面板厂友达、群创、存储芯片厂南亚科、华邦电等去年亏损幅度收敛,而存储模组厂威刚、创见则因价格回冲,获利大增,都算是非常好的消息。


据台媒《经济日报》分析,过去二年来,受到通胀、升息及战争影响,PC/NB、手机、电视等消费型电子疲软,导致存储及面板库存过高,价格崩跌,双D大厂不堪亏损,纷纷祭出减产,去年第四季开始减产效应浮现,价格回稳,面板厂友达、群创、存储芯片厂南亚科、华邦电等去年亏损幅度收敛,而存储模组厂威刚、创见则因价格回冲,获利大增,都算是非常好的消息。


原厂减产带动存储涨价效应,终端需求回温要看下半年

但这只是减产所带出来的涨价效应,下游需求是否回温,仍须看联准会利率决策何时会降息。三月FOMC会议刚结束,尽管美国一、二月消费者物价指数CPI超乎预期反扑,FED仍坚持今年降息三次,市场认为最快降息的时间点在六月,若如预期,消费型电子需求回温真正的时间点在今年下半年,届时,疫后换机潮,乃至于AI PC、AI手机换机潮才可能真正启动。

这也可以解释为何今年以来国际存储大厂海力士、美光股价涨势凌厉,而台厂南亚科、华邦电股价却表现温吞的原因。美光近日公布财报,上季(今年2月底为止)营收58.2亿元,季增23%,年增58%,EPS 0.42美元,比上季的-0.9美元转亏为盈,除了减产所带来的效益之外,最大的原因是吃到英伟达H200晶片所需之HBM3e商机,并且预告今、明两年产能已被订光,乐观看待未来的营收展望。

SK海力士是最先研发HBM的厂商,去年八月首度发布HBM3e内存,该公司年第三季度还亏损,不过,DRAM事业部门却转亏为盈,同样是吃到英伟达HBM的订单,今年的产能也全部被订光,三星则是苦苦追赶前面两家,在最近的GTC大会才亮相HBM3e 12H芯片,预计在今年上半年量产。

由于HBM是DRAM的堆叠,需要先进的3D封装技术,即便是国际大厂推出,目前良率也仅有五成,台厂除了力成、爱普*、力积电有3D的封装技术,有机会切入HBM商机之外,上游芯片厂及中游模组厂都未能及时跟进,反映在股价的疲软,并非空穴来风。

台厂这一波吃到的是减产所带来的涨价效应,加上国际大厂产能转向高端的HBM及DDR5,无暇顾及中低阶的DDR3、DDR4,所释出来的订单正好被台厂捡到,目前包括华邦电、南亚科、威刚、十铨、创见、宇瞻等皆受惠于AI、网通所需之DDR3、DDR4的产能吃紧,有助推升营收上扬。

存储是上游的原物料产业,报价是影响股价涨跌的重要因素,以DRAM来说,去年第四季价格涨幅在13%~18%,今年第一季再涨14%~18%,第二季稍微收到5%。


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