【导读】DRAM/NAND Flash随着价格自去(2023)年第三季起陆续涨价，且因AI应用需求获看好，原厂也拟渐渐将减产幅度缩小，渐渐拉升稼动率，而即便如此，模组厂商认为，原厂先前减产幅度深，增产速度会受限且资源会放在制程难度高的HBM、DDR5，所以产量的增加没那么快，相对全年仍看存储可维持涨势不变。
DRAM/NAND Flash随着价格自去(2023)年第三季起陆续涨价，且因AI应用需求获看好，原厂也拟渐渐将减产幅度缩小，渐渐拉升稼动率，而即便如此，模组厂商认为，原厂先前减产幅度深，增产速度会受限且资源会放在制程难度高的HBM、DDR5，所以产量的增加没那么快，相对全年仍看存储可维持涨势不变。
威刚董事长陈立白表示，受到上游原厂产能大幅调配至AI应用的HBM与先进制程难度更高影响之下，预期上游原厂的DRAM产出将相当受限，而伴随市场需求稳步回升，下半年DRAM供给将转趋吃紧；另一方面，NAND Flash上游原厂虽然第二季开始逐步恢复先前减产的产能，估也会相对节制。
宇瞻认为，全年存储价格看涨，即便原厂渐拉升稼动率，也只是涨幅收敛；过去1年供应端产能减幅已达30-50%不等，涨幅则会渐渐随着增产而收敛，但都还是维持涨势。目前需求都以AI应用为主，包括HBM以及DDR5，一方面帮助DRAM库存去化，且原厂增产也都以DDR5及HBM为主，Flash则放在逾100层以上的产品，且因高效产品制程长，Wafer从投片到颗粒产出时间拉长、产出也变少，所以产能利用率虽然慢慢提升，但实际可增加的产量有限，另外在产能排挤效应下，DDR4价格会变好。
群联认为，NAND Flash原厂要有合理毛利率才会持续提升产能，以供应市场所需，若原厂下半年不宣布增产，明年NAND可能会陷入短缺。
十铨也表示，原厂带动DRAM及NAND Flash涨势明确且有望延续，展望今年，公司持续提高技术层面，推出更多元高规格内存与储存方案，市场渗透率也持续上扬，持续推升全球市场竞争力。
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