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HBM4标准放宽，三星、SK海力士推迟引入混合键合技术

发布时间：2024-03-12 责任编辑：lina

【导读】据ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米(μm)，比上一代的720微米更厚。

据ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米(μm)，比上一代的720微米更厚。

据悉，该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。

如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。考虑到混合键合的投资成本巨大，存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。

值得一提的是，最终同意12层堆叠HBM4和16层堆叠HBM4均采用775微米，这要归功于存储器公司积极宣称现有的720微米厚度已经达到了极限，据传英伟达、AMD等也接受了该提案，以便顺利从三大存储公司获得HBM。

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