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三星考虑在下一代服务器DRAM中应用MUF技术

发布时间：2024-03-05 责任编辑：lina

【导读】三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺，与TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。

据韩媒Thelec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。

三星最近测试了一种用于3D堆栈(3DS)内存的MR MUF工艺，与TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。

经过测试，该公司得出结论，MUF不适用于高带宽内存(HBM)，但非常适合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用硅通孔(TSV)技术制造，主要用于服务器。

MUF是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的TSV工艺后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。

另外，三星正计划与三星SDI开发自己的MUF化合物，消息人士称，三星还订购了MUF应用所需的设备。

尽管如此，三星预计还将继续在其HBM生产中使用TC NCF技术，预计美光也将这样做，该技术在避免晶圆翘曲方面更有优势。

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