【导读】存储制造商南亚科针对今年何时可以由亏转盈，公司回应，挑战年中损益两平。而16Gb DDR5产品预计2024年导入生产，DDR5今年占比不会太大，努力单月营收贡献达10%。并宣布，RDIMM今年年底前Tape Out，明年开始通过认证量产出货。
存储制造商南亚科针对今年何时可以由亏转盈，公司回应，挑战年中损益两平。而16Gb DDR5产品预计2024年导入生产，DDR5今年占比不会太大，努力单月营收贡献达10%。并宣布，RDIMM今年年底前Tape Out，明年开始通过认证量产出货。
针对何时可以转盈，南亚科表示，去年DRAM价格跌得较深，回升需一些时间，营运逐季改善的机会高，挑战年中损益两平，公司会以此为目标持续努力，逐季改善。
至于重要技术与产品展望，预期1B制程技术8Gb DDR4与16Gb DDR5产品预计2024年导入生产。3D堆叠技术研发进行中，用于开发高密度RDIMM产品，目标服务器市场。此外2024年预期全年位元成长率20%以上，将逐季成长。
南亚科提到，AI应用广泛，最近因Open AI与生成式AI带起热潮，对带宽要求较高，带动HBM需求，但HBM其实已发展多年，早期大型网络公司已开始小量应用。目前HBM整个市场从位元来看量并不大(约低于2%)，但营收估计可能将近10%。但价格可能提升5倍。而此2%的市场，三大国际DRAM厂目前争相抢占，竞争激烈。
考量HBM需要高带宽内存(高IO)，Die Penalty较高，成本可能要到2.5-3倍(依营运规划及产量而异)，且须与三大厂直接竞争，加上搭配还需大量控制芯片，需有合适的合作伙伴，遂与南亚科的策略较不相同。
南亚科直言，公司是以3D IC为主目标，开发AI运算时亦大量使用的高密度RDIMM。该市场较HBM大，利润也较佳。以南亚科推动自主研发来看，目标是先逐步先3D技术做好。该产品的Die Penalty较小，为应用TSV之3D IC产品。南亚科先前已有HBM、TSV技术经验，因此技术面的瓶颈是能够克服的。市场将持续动态变化，但目前依整体考量，较适合南亚科切入。而南亚科TSV开发会有策略伙伴，目前需要量产设备与经验。
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