【导读】三星公告最新财报数显示,2023年第四季的DRAM及NAND Flash位元出货量,优于先前展望,反映出市场需求改善,三星将继续选择性地调整生产特定的DRAM、NAND Flash产能,以期拉升报价。
三星公告最新财报数显示,2023年第四季的DRAM及NAND Flash位元出货量,优于先前展望,反映出市场需求改善,三星将继续选择性地调整生产特定的DRAM、NAND Flash产能,以期拉升报价。
其中,DRAM因库存改善,稼动率预计自2024年第四季的70%,恢复至2024年第一季的81%、第二季再回升至89%。
三星电子旗下存储芯片事业,将在2024年第一季转亏为盈,预告存储产业将开始复苏。
产业界人士分析,三星的2023年DRAM、NAND Flash第四季位元出货量,优于先前展望,主要因三星存储的价格涨幅小于同业,因而加速库存去化速度,其中,尤以DRAM改善较显著。
三星将继续选择性地调整生产DRAM、NAND Flash产品,由于第一季属产业淡季,三星2024年第一季DRAM及NAND Flash位元出货量,预期皆呈季减,但报价将持续拉升。
由于三星的DRAM库存已去化至8~10周,预期将在2024年第一季季末恢复正常,而NAND Flash 库存,将在2024年上半年内恢复正常。
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