【导读】据存储模组公司消息人士表示，三星电子和美光科技等存储芯片供应商正在考虑在2024年第一季度将DRAM价格提高15%-20%。
据存储模组公司消息人士表示，三星电子和美光科技等存储芯片供应商正在考虑在2024年第一季度将DRAM价格提高15%-20%。
与飙升的NAND闪存价格相比，2023年第四季度DRAM定价相对稳定。不过，消息人士称，存储芯片制造商目前预计在下一轮涨价中将重点放在DDR4和DDR5等DRAM上，以加速恢复盈利。
有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价，但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%，大幅提升DRAM价格，但低于当月3D TLC NAND约10%的涨幅。
随着手机和服务器需求逐渐改善，DRAM供应预计将趋紧。存储芯片制造商目前热衷于在2024上半年提高DDR4和DDR5价格，另外DDR3产量和价格将相对稳定。
消息人士称，存储模组厂商已在过去几个月以低价备货，预计三星将打响下一轮DRAM价格调整的第一枪。
韩国DRAM供应商已降低2023下半年DRAM的利用率。三星2023年第四季度的DRAM产量仅为2023年第一季度的70%左右，并补充说三星提高了先进制造工艺的产量比例。预计2024年第一季度DRAM产量将继续受到严格控制。芯片供应商将更多地依赖先进节点，同时减少成熟工艺的产量。
前三大DRAM芯片厂商的DDR4过去采用1X nm或1Y nm工艺，但在2023年，三星将其8Gb和16Gb产品转移到1Z nm工艺，而美光则将其DDR4生产转移到1α nm工艺。存储芯片制造商也已从16Gb DDR5的1α节点迁移到1β节点。
2023年第四季度DRAM和NAND均未出现供不应求的情况，这表明终端市场需求尚未恢复，2月农历新年前前景将较为保守。
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