【导读】近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业部研究员Kang Young-seok详细介绍了EUV技术的现状和未来。
近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业部研究员Kang Young-seok详细介绍了EUV技术的现状和未来。
据悉，三星EUV技术的关键在于EUV薄膜的使用，这是半导体制造中光刻工艺所必需的材料，能够起到保护作用，防止外来颗粒造成缺陷。Kang Young-seok透露，三星使用的EUV薄膜的透光率已经达到90%，计划将其提高到94-96%。
90%的透光率意味着只有90%的进入薄膜的光到达掩膜，这比更常见的氟化氩（ArF）光源使用的99.3%的薄膜透光率要低。
三星在部分先进的EUV代工生产线上为主要客户引进了EUV薄膜。虽然在DRAM生产线上也采用了EUV工艺，但考虑到生产效率和成本，认为没有薄膜的存储器量产是可行的。
另外，Kang Young-seok暗示三星没有使用韩国国内供应商的EUV薄膜。他透露，日本三井是目前唯一的供应商。虽然FST和S&S Tech等韩国企业正在积极开发EUV薄膜，但尚未达到量产的阶段。
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