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NAND价格拉升不停歇,DRAM筑底震荡缓步走

发布时间:2023-12-04 责任编辑:lina

【导读】据台媒DIGITIMES报道,随着终端传统备货旺季进入尾声,存储11月现货价格的涨幅明显趋缓,但第4季上游NAND原厂释出产能持续减少,存储模组厂想逢低敲定大单却无法如愿。


据台媒DIGITIMES报道,随着终端传统备货旺季进入尾声,存储11月现货价格的涨幅明显趋缓,但第4季上游NAND原厂释出产能持续减少,存储模组厂想逢低敲定大单却无法如愿。


尽管短期渠道市场出现库存积压的现象,NAND Flash Wafer涨势不减反增,主流512Gb现货价单月调涨约2成,站上2.6美元,持续朝向原厂损益平衡点关卡迈进。

NAND价格拉升不停歇,DRAM筑底震荡缓步走

随着市场行情先行指标的现货市场从第3季启动涨势,DRAM合约价第4季相继跟进调涨,除了移动存储受惠于手机品牌厂年底回补库存,合约价季增约15~20%,随着PC与服务器平台进入更新迭代,DDR5渗透率日益提升,带动DDR5价格上涨双位数幅度、DDR4及DDR3的涨幅也优于原先预估的中个位数表现。

不过现货价部分,经过第3季逐月回神调涨,下游渠道及存储模组厂在年底旺季接单分别在9~10月完成出货,市场预期存储价格看涨的期待心理,带动短期的库存回补需求大致告一段落,11月现货价涨幅已明显转趋疲弱。

整体来看,大容量DRAM颗粒产品的涨幅较大,DDR4 16Gb近月来平均涨幅约3.25%,DDR4 8Gb处于0.25~1.8%之间微幅调涨,尽管上游原厂已积极调降DDR4供给产出,但二手拆解市场仍有不少DDR4颗粒流窜,整体DDR4市场库存也较高,拖累DDR4价格调涨不易,至于DDR3价格不涨反跌,库存调整持续进行中。

NAND Wafer价格持续受到上游原厂供应减产的影响驱动,存储模组业者透露,目前原厂对第4季Flash供应的态度就是拖延战术,原先曾在9月试图敲定数百万颗订单,但原厂迟迟不愿放货,就算愿意给货,数量及价格都无法达到满意的目标,虽然终端市场需求已进入淡季,但Flash现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态,加速Flash Wafer各产品全面调涨。

以现货市场来看,512Gb TLC价格从半年前约1.4美元一路爬坡向上,目前11月底价格已达到2.6~2.7美元,原本价格一度跌破材料成本,如今正朝着原厂损益平衡的首要目标持续狂涨,根据业界估算,512Gb Flash价格要回到3.2~3.5美元,原厂才有望回到损平点,短期内估计价格难再回头,但终端SSD价格仍难跟进上涨,导致进货价高于卖价的状况持续存在。

根据估计,各家原厂的减产效益在下半年陆续显现,亏损及库存正逐季缩小,不过各家合计亏损金额仍高达60亿美元,虽比第2季亏损80亿美元的幅度收敛,但NAND原厂将持续推动减产策略延续至2024年。


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