你的位置:首页 > 市场 > 正文

DDR3芯片价格急涨!合约价有望上涨10%至15%

发布时间:2023-11-15 责任编辑:lina

【导读】继标准型DRAM、NAND Flash市况谷底反弹后,DDR3利基型内存在国际大厂全力冲刺高带宽内存(HBM)、DDR5等高阶应用,并空出DDR3市场的带动下,推升DDR3芯片价格短线急涨近一成,本季合约价可望劲扬10%至15%,明年首季持续看俏,华邦、钰创、晶豪科等业者近期订单涌进,开始加大备货力道,喜迎涨价商机。


DDR3芯片价格急涨!合约价有望上涨10%至15%


继标准型DRAM、NAND Flash市况谷底反弹后,DDR3利基型内存在国际大厂全力冲刺高带宽内存(HBM)、DDR5等高阶应用,并空出DDR3市场的带动下,推升DDR3芯片价格短线急涨近一成,本季合约价可望劲扬10%至15%,明年首季持续看俏,华邦、钰创、晶豪科等业者近期订单涌进,开始加大备货力道,喜迎涨价商机。


标准型DRAM与NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等国际大厂主导,台厂在芯片制造端无法与其抗衡,仅模块厂有望以低价库存优势搭上DRAM与NAND芯片市况反弹行情;随着DDR3跟着涨价,对相关内存业者帮助大。


业界人士分析,带动此波内存市况转扬的主要动能,在于国际大厂陆续减产的效益发酵,近期随着产能紧缩,更严格控制出货,完全展现要支撑价格上涨的决心。


另一方面,三星、SK海力士、美光积极跨足AI应用,将主要产能挪到生产高带宽内存、DDR5等高阶领域,也让DDR3市场出现空间,近期客户端回补库存以及消费性电子急单报到,研调机构集邦科技指出,DDR3报价从9月起陆续走扬,DDR3 4Gb至今累计涨幅近一成,DDR3 2Gb累计涨幅则有14%。合约价方面,集邦预期本季将劲扬10%至15%,明年首季续强,有望再涨5%至10%。


DDR3相关业者均正向看待市况发展。钰创认为,随着库存消化告一段落,「循环谷底已过」,目前逐渐迎向复苏的曙光.正向看待明年全球DRAM市场将迎来显著成长。


华邦总经理指出,本季营运将优于第3季,看好明年DRAM市况。


供应链透露,随着产业经过逾一年库存去化,近期终端消费性电子急单大增,带动DDR3芯片需求喷发,华邦、钰创向载板协力厂备货量激增,晶豪科投片量也有上升趋势,显示市况回温以及价格反转之际,业者无不积极备货迎接盛况。


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


推荐阅读:

全球MLCC市场需求进入低速成长期,2024年增率预估仅约3%

存储涨价从DRAM内存延伸至NAND闪存

今年OLED面板营收预计达389亿美元同比下降7%

NAND价涨,估三星明年营业利润将飙升至33.9万亿韩元

CIS大厂拟减产 同欣电、京元电等营运动态需关注

特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭