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存储减产狂涨价,涨势或至少延续2年

发布时间:2023-11-13 责任编辑:lina

【导读】据台媒Digitimes报道,全球存储原厂经历过去一年惨亏,随着产能紧缩,近期严格控制出货,下游存储模组厂几乎抢不到货,NAND Wafer甚至从过去逐季缩短到逐日报价,供应链笑称强势狂涨「不讲武德」。


据台媒Digitimes报道,全球存储原厂经历过去一年惨亏,随着产能紧缩,近期严格控制出货,下游存储模组厂几乎抢不到货,NAND Wafer甚至从过去逐季缩短到逐日报价,供应链笑称强势狂涨「不讲武德」。


供应链透露,近日到出货前才知道价格,512Gb合约价成交站上2.2美元,现货市场更喊到2.7美元,但整体市场价涨量缩,原厂主导价格姿态强势,不配合涨价已拿不到货。

模组业者坦言,在过去3~4年来,存储产业的报价模式稳定规律,合约价均以季度为单位来敲定价格,但近年来存储产业急转直下,市场价格从高点下跌超过70%。

在预期跌价的心态下,各家模组厂改为逐月向原厂议价,但随着原厂集体减产的效应发威,NAND从8月起涨幅强劲,如今每周价格都持续拉升,甚至一天出现一个新价格。

业界指出,现在存储市场报价根本不守规则,没有固定价格模式,等到出货时才知道新价钱,最大的问题在于原厂出货严格紧缩,在这样的涨价氛围下,势必将推升终端成品调涨,唯有终端需求跟进复苏,才能支撑涨价能顺势调升。

但原厂报价一直往前冲,尤其以三星电子主导的态势最为强势。以Wafer Flash 512Gb为例,原本预期第4季合约价仅约个位数涨幅,有望挑战2美元门槛,但近期合约价上看至2.2美元,市场认为,第4季合约价将上涨10~15%,而现货价也持续逼近3美元大关。

存储减产狂涨价,涨势或至少延续2年

DRAM价格涨势虽然较为缓和,但大厂减产策略推进,进一步将资源集中于HBM、DDR5等高附加价值产品,业界传出,三星2023年减产重点除NAND外,DDR4产能在下半年也同步大幅缩减,将客户搭载规格转向至DDR5,致力在2023年底将DDR4库存降至健康水位。

威刚董事长陈立白表示,目前各家DRAM大厂都将产能转往DDR5,将推动DDDR4与DDR5加快进入黄金交叉点,预计2024年第1季底DDR5的出货量将会超过DDR4。且受惠AI热潮逐步扩大至PC、手机等终端应用,未来上游原厂的产能配置与新增投资都将集中在HBM及DDR5。

虽然DDR4现阶段处于亏损出货,且原厂还有不小库存,但由于不再新增产能,2024年下半将可望出现短缺,加上存储大厂的供给产出转移,将可望为产业带来新一波多头,看好未来2~3年,都会是存储产业的好光景。

创见近年来转型耕耘迁入式工控应用市场,预计DDR5将从2024年下半打入工控应用,过去DDR3是工控内存的主流,但2023年DDR4首度超过DDR3。

目前工控应用DDR3比重达20~30%,虽然存储大厂的产能供应逐步减少,但终端需求也在慢慢减少,客户陆续转移至下一个世代,近期DDR3价格也缓步小涨。

华邦电表示,原本三星为推动工控客户升级至入门级DDR4,一度把DDR4降至与DDR3同价位,但主流PC应用规格已转向至DDR5,DDR5 Wafer消耗量将增加20%,市场价格也更高。

虽然现阶段DDR3库存仍不小,但未来产能转移后的市场竞争压力将逐步减轻,预期2024年第1季合约价将可望回涨,甚至到第2~3季将可能趋于平衡或供不应求。


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