你的位置:首页 > 市场 > 正文

旺宏年底将量产192层NAND Flash,减少明年资本支出

发布时间:2023-10-31 责任编辑:lina

【导读】据MoneyDJ报道,旺宏在新产品研发进度上,192层的NAND Flash即將推出,预计年底到明年初会量产,3D NOR Flash会在明年年底前有sample送到客户手上,而在资本支出上,今年已有一些投入,考量到行情仍未明显复苏,明年资本支出将较今年减少。


据MoneyDJ报道,旺宏在新产品研发进度上,192层的NAND Flash即將推出,预计年底到明年初会量产,3D NOR Flash会在明年年底前有sample送到客户手上,而在资本支出上,今年已有一些投入,考量到行情仍未明显复苏,明年资本支出将较今年减少。


旺宏年底将量产192层NAND Flash,减少明年资本支出

旺宏表示,年底到明年初会量产的192层的 NAND Flash,针对特定主要客户,营收贡献约是明年下半年,新研发的技术则是超过300层的产品;3D NOR Flash 预计明年底释出sample后,营收贡献通常要再等1-2年。

2024年的资本支出部分,旺宏表示,除了RD的需求外,其它产能扩充都暂时延后,而且今年已有规划产能扩充上的投资,所以明年资本支出会比2023年减少。

至于旺宏拟兴建的新厂进度部分,目前clean room已完成,部分设备已导入。


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


推荐阅读:

威刚看存储行情乐观,将一路涨至明年上半年

摩根士丹利:PMIC、MOSFET需求仍疲弱

苹果即将推出Mac系列新品,或搭载3nm M3芯片

2028年功率器件市场将达333亿美元,中国厂商将受益于电动汽车产业优势

机构:Q3中国智能手机出货6705万台,折叠屏同比增长90.4%

特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭