三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存-市场-电子元件技术网

你的位置：首页 > 市场 > 正文

三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存

发布时间：2023-10-19 来源：1 责任编辑：lina

【导读】三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。

他表示，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存，三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。

他提到，「在即将到来的 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，新结构和新材料非常重要」。

免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。

推荐阅读：

特别推荐

技术文章更多>>

技术白皮书下载更多>>

热门搜索