【导读】三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。
三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。
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三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存
发布时间：2023-10-19 来源：1 责任编辑：lina
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