【导读】据国内媒体报道，有供应链上下游龙头公司透露，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点，国内有存储器下游龙头企业，NAND闪存芯片采购成本上涨近20%，DRAM内存芯片采购成本上涨约30%。
据国内媒体报道，有供应链上下游龙头公司透露，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较此前的价格低点，国内有存储器下游龙头企业，NAND闪存芯片采购成本上涨近20%，DRAM内存芯片采购成本上涨约30%。
预计从今年第四季度开始，存储元器件成本上涨所带来的影响将逐渐传导至消费端，笔记本电脑、手机等终端产品可能面临涨价局面。
根据TrendForce的统计，随着三星、SK海力士等存储大厂持续减产，10月前后DRAM、NAND原厂芯片价格出现小幅上升。目前合约价已陆续落底，库存跌价损失将获得改善，去库存化成效的显现有望使营业利益率转亏为盈。机构预计，2023年底将有机会看到市场供需渐趋平衡，预计2024年存储芯片供应商对DRAM与NAND Flash的减产策略将延续。
TrendForce预估DRAM及NAND Flash明年增长率分别为13%和16%。
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