【导读】三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang宣布，三星开始向客户提供高带宽内存HBM3E样品，且下一代产品HBM4正在开发中，目标2025年供货。
三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang宣布，三星开始向客户提供高带宽内存HBM3E样品，且下一代产品HBM4正在开发中，目标2025年供货。
Sangjun Hwang表示，三星还在准备开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，以应用于HBM4产品。
三星电子正在全力开发这些技术，包括在今年年初成立AVP（先进封装）业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥各业务部门之间的协同效应。
此外，三星还计划与HBM一起提供尖端定制交钥匙封装服务，包括2.5D和3D尖端封装解决方案，展示AI和HPC时代的最佳解决方案。
对于上个月发布的32GB DDR5 DRAM，Sangjun Hwang称，降低成本和提高生产率已经成为可能，功耗也可以改善10%，有可能实现高达1 TB的内存模组。
Sangjun Hwang还透露了对将系统半导体计算功能添加到存储器的PIM（存内计算）产品的期望，“HBM-PIM通过在DRAM内部安装数据运算功能，改善了内存带宽的瓶颈，在语音识别等特定工作负载中实现了高达12倍的性能提升和4倍的功效提升。”
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