【导读】据TECHSPOT报道指出，消息人士向韩媒Chosun Biz表示，三星、台积电等两大半导体巨擘，发展3nm制程时遭遇重大瓶颈却未曝光，直指2大厂良率可能都难以超过60%，远低于吸引硬件供应商所需的水平，若要成功吸引高通、英伟达等重量级买家，需要达到至少70%的良率才足够。
据TECHSPOT报道指出，消息人士向韩媒Chosun Biz表示，三星、台积电等两大半导体巨擘，发展3nm制程时遭遇重大瓶颈却未曝光，直指2大厂良率可能都难以超过60%，远低于吸引硬件供应商所需的水平，若要成功吸引高通、英伟达等重量级买家，需要达到至少70%的良率才足够。
Chosun Biz报道，根据半导体产业4日消息，已知三星和台积电的3nm制程良率都维持在50%区间，先前有报告一度显示，三星为中国大陆客户设计的芯片已达60%良率，但后来发现这个数字不包括逻辑芯片的SRAM，也就是非完整的3nm制程。
同一时间，为苹果iPhone15 Pro系列提供A17处理器的台积电，3nm FinFET制程最佳化的进度，也传落后疑虑，日前一些专业人士原预估，台积电3nm的良率最高可达7成以上，但现传出良率约落在55%上下。
苹果新机iPhone15 Pro系列首度采用3nm制程，随台积电恐陷瓶颈，报道预测，正竞相生产先进制程的三星和英特尔，或有机会受惠。
除台积电和三星都准备在2024年和2025年生产更先进、更高效的3nm制程，英特尔也拟推3nm Sierra Forest和Granite Rapids芯片，力图迎头赶上，英特尔7月曾声称，制造已达到产量和性能目标，但却未给出具体数字。
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