你的位置:首页 > 市场 > 正文

三星加大NAND闪存减产力度,预计年底达50%

发布时间:2023-09-12 责任编辑:lina

【导读】据电子时报报道,业内人士透露,三星电子已加大NAND闪存减产力度,预计到2023年底减产幅度将达到50%。今年下半年以来,三星减产的步伐有所加快。三星已将NAND闪存产量缩减约40%。


三星加大NAND闪存减产力度,预计年底达50%


据电子时报报道,业内人士透露,三星电子已加大NAND闪存减产力度,预计到2023年底减产幅度将达到50%。今年下半年以来,三星减产的步伐有所加快。三星已将NAND闪存产量缩减约40%。


消息人士称,三星已在2023年上半年将NAND闪存产量削减了20%。预计年底前50%的削减将持续至少一个季度。


消息人士还表示,三星减产的目的是加速其工艺技术转型,以改善产品结构。三星将在2023年将128层堆叠第六代V-NAND作为其主要技术,但目标是提高176层和236层NAND供应比例。因此,放弃生产采用成熟工艺制造的第五代V-NAND产品在预料之中。


随着市场领导者大幅减产,NAND闪存定价趋势的近期前景看涨。三星512Gb NAND闪存晶圆报价从此前的1.40美元上涨至1.60美元左右,市场价格达到1.80美元,甚至更高。预计今年年底512Gb晶圆单价将达到2美元。然而,即使价格达到2美元,对于原始芯片制造商来说,盈利仍将是挑战。


随着晶圆成本增加,消费级SSD和企业级解决方案等闪存设备的价格将会上涨。尽管如此,消息人士指出,市场需求能否顺利恢复对于未来维持价格上涨至关重要。


品牌手机供应商持有的库存相当低。华为新智能手机的发布是否会鼓励其他中国品牌公司囤积芯片还有待观察。


消息人士表示,尽管近期NAND闪存现货价格大幅上涨,但到今年底合约市场可能仅维持5%的小幅涨幅。


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


推荐阅读:

HBM芯片市场前景可期,三星2023年订单同比增长一倍以上

芯片零部件供应商:半导体行业复苏不如预期 2024年改善

三星减产致NAND Flash价格上扬,群联目标价抬高

NAND大涨价,三星部分产品涨近40%

存储最坏情况已过,DRAM需求最快有机会Q3中期浮现

特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭