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SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产

发布时间：2023-08-16 责任编辑：lina

【导读】SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。此外，SK海力士还会介绍了包括PCIe 5.0及UFS 4.0相关的新一代NAND闪存解决方案。

SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。此外，SK海力士还会介绍了包括PCIe 5.0及UFS 4.0相关的新一代NAND闪存解决方案。

这次SK海力士带来的是321层1Tb TLC 4D NAND闪存，首次向外界展示了现阶段开发的样品，并会介绍开发的进展情况。SK海力士表示，会进一步完善321层NAND闪存，初步计划在2025年上半年进入量产阶段。据SK海力士介绍，321层1Tb TLC NAND闪存的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

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