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三星将投资1万亿韩元扩大HBM产能,以满足英伟达和AMD需求

发布时间:2023-07-13 来源: 责任编辑:wenwei

【导读】据电子时报报道,三星电子将投资1万亿韩元(约合7.66亿美元)扩大其高带宽内存(HBM)产能。消息人士认为,三星的投资不仅是为了与SK海力士在市场上竞争,也是为了满足英伟达和AMD等公司的客户需求。


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韩国ET News指出,三星的目标是到2024年底将HBM产能翻一番,并且已经下了主要设备的订单。据悉,WSS(晶圆承载系统)的供应商包括Tokyo Electron(TEL,东京电子)和Suss Microtech(苏斯微技术)。


三星计划在天安工厂安装该设备,以增加HBM出货量。天安工厂是三星半导体后端工艺的生产基地。考虑到HBM是由多个DRAM垂直连接而成,三星需要增加更多后端工艺设备来提高出货量。据报道,此次扩建的总投资为1万亿韩元。


事实上,2023年AI服务的快速扩张导致对高性能CPU、GPU和HBM的需求增加。韩国行业消息人士指出,三星已经从英伟达和AMD等公司获得了额外的HBM订单。


业内人士称,与竞争对手相比,三星在HBM领域的反应相对缓慢。一些市场研究数据还表明,三星的HBM市场份额低于SK海力士。


这被认为是三星DS(设备解决方案)最近决定更换其内存业务部门技术开发主管的因素之一。


三星DS部门负责人Kyung Kye-Hyun表示,三星的HBM产品仍拥有50%以上的市场份额。到2024年,HBM3和HBM3P等产品将为该部门的利润作出贡献。


另一方面,SK海力士还计划投资约1万亿韩元,增强利川工厂的HBM产能。业内观察人士推测,1万亿韩元将是最低投资规模。未来,三星和SK海力士预计将进一步扩大投资规模,意味着2024年HBM市场竞争将更加激烈。


业内人士认为,随着科技巨头预见人工智能服务的扩张,未来对HBM的需求只会呈上升趋势。如果三星和SK海力士想要满足未来的HBM需求,他们需要将产能提高到目前水平的十倍以上。


作者:集微网,来源:雪球



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