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台积电:3nm良率领先业界 很快比肩5nm

发布时间:2023-05-11 责任编辑:lina

【导读】消息称三星将公布第二代3nm制程进度,性能较4nm提高22%。台积电5月11日在技术论坛上表示,自家3nm制程(N3)将实现快速且顺畅的产能提升,良率将比肩5nm技术。


台积电:3nm良率领先业界 很快比肩5nm


消息称三星将公布第二代3nm制程进度,性能较4nm提高22%。台积电5月11日在技术论坛上表示,自家3nm制程(N3)将实现快速且顺畅的产能提升,良率将比肩5nm技术。


据钜亨网报道,台积电先进技术暨光罩工程副总经理张宗生表示,台积电N3在量产阶段,产能在手机和高性能计算应用驱动下将迅速提升,良率将领先业界,很快就可以比肩5nm技术。


台积电业务开发资深副总经理张晓强表示,台积电N3是全世界最领先的技术,N3家族中的N3E已通过技术验证,达成性能与良率目标,并收到第一批客户产品设计定案,将在下半年量产,在迈入量产的前三年,N3E新品设计定案数量将是5nm同时期的1.5至2倍。


张晓强补充表示,包括手机、高性能计算客户都积极采用N3制程,踊跃程度胜过5nm制程同期,车用芯片客户也期待推进3nm制程。台积电应业界需求推出首个基于3nm制程的Auto Early技术——N3AE,提供以N3E为基础的汽车制程设计套件,将有助缩短客户产品上市时间2-3年。


除先进制程,台积电也持续提升特殊应用制程产能。张宗生指出,2017年到2022年,台积电对特殊制程技术投资的年复合成长率超过40%,到2026年,预计将特殊制程产能提升近50%。另外,台积电也积极扩充3D Fabric先进封装产能,预计至2025年无尘室面积将增为2021年的2倍以上。


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