【导读】据台媒电子时报报道，据IC分销商和测试设备供应商的消息人士透露，虽然需求方面的不确定性依然存在，但三星电子有望在明年开始大幅下降存储芯片价格，以进一步提高其在全球存储芯片市场的份额。
美国存储器大厂美光近来财测严峻，并警告市场需求萎缩，这让另一巨头三星电子的动向备受瞩目。韩媒分析认为，三星不太可能追随包括美光科技和SK海力士在内的同行的脚步，缩减产量，并对资本支出前景持谨慎态度。
消息人士指出，三星过去会在其他内存芯片制造商争保持价格稳定时大幅降价。
根据BusinessKorea最近的一份报告，三星将在平泽的P3建立新的DRAM和半导体代工生产线，并计划安装10套极紫外（EUV）光刻设备。该报告没有引用其来源。《韩国经济日报》27日报道，三星最近曾向营建关系企业三星重工、三星工程下达价值1万亿韩元（7.886亿美元）的订单，打造厂房及电力设施。
披露第三季度财务业绩时，三星估计其今年的资本支出约为54万亿韩元（425亿美元），其中包括分配给公司设备解决方案（DS）部门的47.7万亿韩元。三星补充说，其内存资本支出将专注于P3和P4基础设施，以及EUV等先进技术。
三星或推出高端存储芯片租赁服务
韩国媒体报道称，三星电子计划考虑推出新的商业模式，高端存储芯片租赁服务，寻求在价格转为波动时也能确保稳定销售及收益流。
报道指出，消息人士称，三星电子近期将“存储即服务”（memory as a service，MaaS）敲定为新业务，并正在制定实施计划。三星计划将用于高性能计算的存储半导体借给谷歌等云服务公司，并收取租赁费用。三星电子希望新业务能占其动态随机存取存储器（DRAM）整体销售收入的至少10%。
具体而言，在新的商业模式下，三星计划将下一代CXL DRAM封装和称为SSD的数据存储设备等用于高性能计算 (HPC) 的存储器半导体借给包括谷歌在内的云服务公司，并从他们那里收取租金。通过以预先设定的合同价格达成交易，同时在此类芯片的整个生命周期内获得系统管理服务，客户将能够降低与芯片采购相关的成本。
报道指出，对于三星而言，MaaS业务将确保三星稳定的销售和收益流，尤其是当芯片价格在行业下行周期中大幅下跌时。
众所周知，当前，全球存储产业正处于行业下行周期，存储器价格持续下跌，据市场研究机构TrendForce集邦咨询此前预计，第四季NAND Flash和DRAM价格跌幅将分别扩大至15~20%以及13~18%。
三星在存储和晶圆代工领域全速进击
三星在其最近的内存技术日会议上，介绍了其DRAM和NAND业务的先进发展。
下图显示了三星到2030年的DRAM路线图。为了推进10纳米范围以外的微缩，三星正在开发图案、材料和架构方面不断进行突破。即将推出的DRAM解决方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星还谈到了 HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解决方案。三星计划到 2030 年实现亚纳米DRAM。
在NAND领域，NAND制造商一直在增加垂直层数方面进行激烈竞争。SK海力士和美光都推出了200多层NAND技术，不过三星的看法是“重要的不是层数，而是生产力，并且专注于提供具有价格竞争力的更好解决方案。”
三星已经生产到了第八代V-NAND产品，层数大约是230层。三星表示，其第9代V-NAND正在研发中，预计2024年量产。到 2030 年，三星相信他们将在其 V-NAND 产品中创建超过1,000层。
在三星晶圆论坛上，三星很自豪的表示，他们是第一家采用SF3E GAA 工艺开始量产3nm产品的半导体制造商。三星还称这些晶体管为 MBCFET（MBC 代表多桥通道）。5nm和4nm的FinFET工艺还在持续发展（绿色部分）；GAA节点从现在的3nm SF3E开始，到2025年达到2nm，2027年达到1.4nm。可以看出，三星在先进制程上的发展很激进，超越台积电，是三星长久以来的目标。
要实现摩尔定律的继续演进，还需要先进封装技术的支持，三星在2020年8月公布了名为“X-Cube”的3D封装技术，并表示该技术已成功试产，可用于制造7nm和 5nm芯片。三星的封装技术涵盖基于中介层的解决方案 (I-Cube)、混合解决方案 (H-Cube) 以及带或不带凸块的垂直芯片集成 (X-Cube)。
国产存储芯片再次遭遇打压
美东时间周四（12月15日），美国政府将长江存储、寒武纪、上海微电子装备等在内的36家中国科技公司列入了“实体清单”，以期进一步阻挠和打压中国科技行业的发展。
长江存储是2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司，同时也是国内存储行业的龙头企业。
在2021年全球集成电路产品的细分市场中，存储芯片以35%的市场份额位居第一，其次是逻辑芯片（32%）、微处理器（17%）和模拟芯片（16%）。其中存储芯片分类包括内存和闪存，通常说的内存是指DRAM，闪存包括NAND FLASH 和NOR FLASH，其中长江存储生产的就是NAND FLASH。
存储市场的规模有多大？我们从2020年中国芯片进口的数据，就可以略知一二。
2020年，我国花了24000多亿人民币进口芯片。其中，有大概7000亿元是用来进口存储芯片的。在这些存储芯片中，有大概1300亿元属于NAND FLASH。而这1300亿绝大多数都是被韩美日三国所占有，比如韩国三星，它在NAND FLASH和DRAM市场均占据优势的市场份额，一度达到38%。之前我们造不出来内存芯片，不得不长期依赖进口，人家说什么就是什么，给你开个天价也只能捏着鼻子接受。
但自从长江存储诞生后，这种情况就发生了巨变。
根据Trendforce对销售数据的计算，2021年，长江存储在全球的市占率达到3.4%。并以此预计，长江存储的市占率在2022年可能会达到7%。虽然离三星还有一定的距离，但长江存储在2016年才成立，可以说完全从零开始，能达到不到5%的市占率已经非常厉害了。
从技术方面来讲，长江存储有两大核心技术，一个是Xtacking技术，另一个是3D堆叠工艺平台。
先说说Xtacking技术，这是长江存储基于传统的NAND技术进行的一种突破性的创新，是完全自主可控的技术，具有自主知识产权。这种技术简单来说，就是在指甲盖大小的面积上实现数百万根金属通道的连接，合二为一成为一个整体，拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现。这项技术为未来3D NAND带来更多的技术优势和无限的发展可能，如今Xtacking技术已经到了2.0了 。
而这将会带来更快的传输速度和更高的存储密度，比如曾经一个采用Xtacking 2.0的测试芯片，读取速度达到了7500 MB/s，写入速度也高达5500 MB/s，这对消费端用户来说，绝对是好事一桩。
而3D堆叠工艺平台也是具有创新性的，而且这项技术不仅可以用于NAND领域，在DRAM、CMOS、逻辑等很多领域也会有很好的运用。
2017年，长江存储做出了中国首款32层3D NAND，终结了存储巨头们长达数十年的技术垄断。
2018年，长江存储发布了业界首创的Xtacking技术，实现了读取速度和存储密度的双重大幅提升。
尤其是前不久，长江存储实现了232层3D NAND闪存的量产准备，击败了在这一行业中根深蒂固的玩家Kioxia、美光科技、三星电子和SK海力士，率先实现了200层以上NAND的生产成就，这标志着中国在存储芯片技术上已取得领先优势。
换句话说，长江存储用了5年左右的时间，已经赶超国外一些先进大厂，说咱们已经实现弯道超车，一点问题没有。
中国大陆存储芯片产业如何走出至暗时刻
美国政府将苹果采购长江存储的3D NAND闪存芯片提高至国家安全问题，如果长江存储和合肥长鑫真的就此发展停滞甚至倒下，那么我国的信息安全如何得到保障？我国供应链稳定不被随时“卡脖子”如何保障？未来产业链的可持续发展如何保障?
1986年日本厂商在全球半导体市场所占份额超过50%，在世界DRAM市场所占的份额达到了80%。但由于未能把握消费级PC时代，加上美国通过广场协议以及日美半导体协定的限制和韩国的强势冲击，日本半导体产业获利能力下降，市占份额急速下滑，走向了衰败的开始，今天日本半导体厂商在全球半导体市场所占份额仅仅约10%。
目前，在美国无底线的行动下，中国大陆集成电路产业发展的良好形势没有最坏，只有更坏。中国大陆存储芯片产业已经乃至中国大陆芯片产业已经面临至暗时刻，我们如何才能吸取他人的经验教训，不重蹈覆辙？
面对外部复杂的环境，我们绝对不能放松警惕。我们要抛弃一切幻想，行动起来，以更加开放的态度继续促进跨全球供应链的合作。同时企业自身继续顽强拼搏，政府要引导产业链上下游加强联动，保护好中国大陆芯片产业链的基本面。
为此必须实施技术创新、自主研发、自主生产的国家战略。对此我们仍要不断坚持产业升级，不能因为限制而放弃发展；不断提升研发投入，攻克“卡脖子”技术，早日走出一条自立自强的发展道路。
在战略层面，要中央统筹，整合各方资源。首先大力招募高端技术人才，通过技术引进+自主开发，在引进、吸收现有的成熟技术基础上，集成创新实现自主开发，逐步追赶先进工艺，直到超越；其次积极布局新型存储器技术研究和开发，对目前的几个新技术包括RRAM、MRAM、PRAM等均应投入资金和人才研究，而不要停留在讨论那种技术未来可能胜出。只要能量产，总有用武之地。
在政策方面，由政府引导积极推进国产化战略，加大信息产业整机和芯片的国产化率，真正实现安全可控。通过税收调控，引导和鼓励存储器产业的投融资，构建良好的产业环境。
在资金层面，必需坚持持续、长期、大量的投资。如果我国定位于超越第一集团，扮演市场的领导者角色，需要达到30%左右的市场份额。考虑现有技术的授权和吸收，生产技术的更新换代，新技术的研究和开发，总投资应该是1万亿元甚至更多，并且这个投资是连续的、长期的。
在市场方面，国内的市场非常巨大，每年本地市场最少要消耗近1000亿美元的存储芯片。在如此巨大的市场推动下，能更好的发挥上下游的优势，改变目前存储芯片国外垄断造成的被动局面。
不要以为美国还给一口气让我们发展成熟工艺，在中国存储的生死存亡的关键时刻，我们更要摒弃幻想，精诚团结，沉下心来，加强自主研发，走出一条中国自主的存储芯片发展之路。
来源：贤集网
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