【导读】日前，SiC领导厂商之一安森美召开了2022安森美CEO在线新闻发布会，分享了其在SiC领域的最新进展，并预测未来3年SiC业务营收可达40亿美元。
根据安森美公布的资料看，传统内燃机车，和没有先进驾驶辅助系统(以下简称“ADAS”)的或者是初级的L1驾驶辅助系统，半导体价值量仅约50美金；微型混动，加上48 V的系统和变成L2或者是L2+ADAS，半导体价值量约280美金；而电动/混动汽车且搭配L4、L5自动驾驶，半导体价值量约1600美金。
随着新能源汽车电压平台逐渐向800V平台靠拢，这部分半导体价值也越来越多的体现在SiC芯片企业的业绩当中。
仍以安森美为例，2022年其汽车业务营收占比以达38%，SiC芯片的增长速度已超过其他部门，未来3年SiC芯片营收可达40亿美元。
产能方面，安森美表示未来几年内75%—80%的资本支出将用于SiC产能扩张，整合去年收购的SiC厂商GTAT后，2022年已实现产能的2倍增长，预计年底将实现5倍的增长。2022年一季度已实现8英寸晶圆样品试产，预计在2024年实现尺寸样品的认证，2025年能够出出货。
从安森美的一系列动作及对未来的预测看，其在SiC领域的野心之大可见一斑，国内厂商是否能够跟上？目前国内厂商又有哪些新的动作？我们汇总部分厂商2022年三季度业绩情况及其SiC产品和产能最新情况。
2022三季度国内部分SiC厂商业绩情况
SiC厂商产品与产能进展情况
SiC产品最新进展
时代电气SiC产品方面布局了6寸SiC产线，规划2.5万片年SiC产能，SiC SBD及SiC Mosfet均实现650V-3300V覆盖，产品矩阵丰富成熟度高，SiC模块目前已进入新能源车车厂验证环节，未来有望实现SiC业务放量。
三安光电对标Wolfspeed，已形成长晶、衬底、外延、芯片制备、封装的SiC全产业链布局。
SiC产品方面，9月2日，湖南三安发布了1200V SiC MOSFET系列新品，新品包含1200V80mΩ/20mΩ/16mΩ，均来自湖南三安自主可靠的6英寸全链整合平台。
砷化镓射频产能已扩充到12,000片/月、光技术产能2,000片/月、湖南三安电力电子SiC产能6,000片/月、电力电子硅基GaN产能1,000片/月，由湖南三安半导体与理想汽车共同出资打造的理想汽车功率半导体研发及生产基地，在今年8月24日正式启动建设，预计2022年内竣工后进入设备安装和调试阶段，2023年上半年启动样品试制，2024年正式投产后预计产能将逐步提升并最终达到240万只车用SiC半桥功率模块的年产能。
湖南三安与一家主要从事新能源汽车业务公司的需方签署战略采购意向协议，承诺自2024-27年确保向湖南三安每年采购SiC芯片，协议金额基于2022年市场价格感知（包含2023年产生的研发业务需求）到2027年预估该金额总数为人民币38亿元（含税）。
士兰微SiC产品方面，SiC-MOSFET技术开发已完成，技术性能指标已经达到业内同类器件结构的先进水平，主要可以用于驱动和控制电机的逆变器、车载DC/DC转换器、车载充电器(OBC)等。SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，近期将向客户送样。
士兰微还通过募集资金15亿元向子公司士兰明镓增资进行SiC功率器件生产线建设，目标在今年年底达到月产2000片6英寸SiC芯片生产能力，项目达产后将实现年产12万片SiC-MOSFET和年产2.4万片SiC-SBD6寸晶圆产能。
斯达半导是全球前十IGBT模块领军厂商，专注IGBT/SiC模块，是国内最早做车规级SiC产品的企业之一，在2021年开展SiC芯片的研发和产业化项目，2024年达产后预计将形成年产6万片6英寸SiC芯片生产能力。2022年上半年，斯达半导应用于乘用车主控制器的车规级SiC MOSFET模块开始大批量装车应用，同时新增多个使用车规级SiC MOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点。
新洁能SiC产品已推出多个1200VSiCMOSFET样品，目标瞄准汽车、光伏广阔市场，产品已通过相关电性能测试评估及可靠性考核，综合特性达到国际先进水平。
11月7日，新洁能公告对外投资，以自有资金人民币2500万元认购常州臻晶22.96万股，增资后持有常州臻晶11.11%股权。常州臻晶专业从事SiC液相法晶体研发及生产销售，产品布局6-8英寸n型SiC衬底，应用于新能源汽车、光伏、储能等；6-8英寸p型SiC衬底，应用于轨道交通、特高压输电等高压场景；6-8英寸半绝缘SiC衬底，主要应用领域为5G通讯等。臻晶6英寸产品预计于2023年下半年（6-9月）向客户送样，已与目标客户达成相关意向，8英寸产品预计2025年推出。同时，臻晶当前已掌握高效n/p参杂、热场实时监控、多元活性助溶剂、固液界面稳定技术等液相法核心技术，技术优势显著。
天岳先进主要产品包括半绝缘型和导电型SiC衬底，6英寸导电型产品正在全球知名的电力电子领域客户中进行验证，并开始批量供货。
目前，天岳先进已将济南工厂的部分设备从生产半绝缘型产品向生产导电型产品转换，正在建设的临港工厂更是以导电型产品为主，济南工厂将部分半绝缘产能调整为6寸导电衬底生产，目前已经对部分客户形成小批量供货，上海临港建设6寸导电型衬底产能，预计2026年100%达产，将新增产能约30万片/年，并持续加大8寸导电型衬底产业化突破，在前期自主扩径实现8寸产品研发成功的基础上，加大技术和工艺突破，积极布局产业化。
2022年上半年，天岳先进通过了车规级IATF16949体系的认证，7月21日，天岳先进签订了一份2023-2025年6英寸导电型SiC衬底产品供应订单，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。
结语
2021年全球SiC芯片的市场规模为10.9亿美元，预计到2027年将达到63亿美元，年复合增长率超过34%，相比于硅基半导体，国内厂商在SiC产品领域的技术差距其实要小得多，谁能最终成为国内SiC领域的领导者并实现SiC产品国产替代呢？
来源：半导体器件应用网
作者：丘水林
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