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希荻微推出适用于智能手表和TWS充电盒等的双LDO充电芯片
随着人们对健康生活方式的追求和智能科技的不断发展，可穿戴设备逐渐成为人们生活不可或缺的一部分。而在使用可穿戴设备时，电源管理问题往往比较棘手，特别是对于智能手表和TWS充电盒等设备。由此，消费者迫切需要一种更高效的充电解决方案，以确保设备的稳定工作并延长其使用时间。
2023-09-05
充电器
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倍加福新推R202系列光电传感器，物流行业标准化的智选！
倍加福全新推出的矩形R202系列光电传感器，采用红光LED，并支持两个开关输出，实现简洁而高效率的开关功能。该系列传感器在设计上注重基本功能的实现，不仅经济实用，更大大简化了产品选型过程。
2023-09-04
光电传感器
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上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。
2023-09-04
MOSFET
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TE Connectivity / Alcoswitch推出HCP系列大电流快动开关
TE Connectivity（TE）/Alcoswitch HCP系列大电流快动开关在额定电流更高的开关中通过各种电平样式的组合提供灵活性。这些开关设计用于将机械动作转换为电气动作，具有10A、16A、20A和26A的额定电流。HCP系列开关符合行业标准尺寸，因此可用于现有设计，并提供各种触点样式，提高灵活性。TE/Alcoswi...
2023-09-04
其它开关
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Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650V E系列功率MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年9月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，...
2023-09-04
MOSFET
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罗姆推出集成驱动和功率管的650V氮化镓功率级IC
ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用（例如数据服务器和交流适配器）内的主电源。
2023-09-05
双向可控硅
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PREMA推出一款双通道硅光电二极管
PCA4540是一款双通道硅光电二极管，可应用于背景抑制光电传感器、位置传感器以及自动对焦等领域。PCA4540将两个PD集成到一个芯片之上，且两个通道的PD拥有非常好的对称性。产品芯片采用自主晶圆制造工艺制作，可实现更低的暗电流和更高的灵敏度，提高产品的信噪比。同时，产品采用小尺寸透明封装，...
2023-09-02
激光(光电)二极管
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Santec推出高速波长可调谐激光器
Santec的高速波长可调谐激光器的技术不仅用于SS-OCT，还用于分光分析、FMCW LiDAR、FBG传感器等多种应用。Innovative Sensing Laser「HSL系列」实现了新的光传感方法。速度、波长带宽等特性可以定制化。
2023-09-02
激光器
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三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品
三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。
2023-09-04
DRAM
- 强强联手！贸泽电子携手ATI，为自动化产线注入核心部件
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