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安森美半导体扩展IGBT系列，推出基于超场截止沟槽技术的1200V器件
安森美半导体(ON Semiconductor）推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT)，采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平，以符合现代开关应用的严格要求。
2016-05-11
IGBT模块
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Molex为PROFIBUS控制器推出SST PB3-CPX 模块
Molex 推出 SST™ PB3-CPX 模块，可将罗克韦尔自动化的 CompactLogix L2、L3 和 L4 控制器连接至 PROFIBUS DP-V0 及 DP-V1 网络。此类模块可为工业自动化应用实现高性能、低成本的解决方案，并且与 Master DP-V0 Class-1、Master DP-V1 Class-1 和 Class-2 以及 Slave DP-V0 协议兼容。
2016-05-09
其它标准处理器
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艾迈斯半导体新型磁性位置传感器支持ISO26262安全性标准，并提供系统级封装型式
今日，艾迈斯半导体公司推出首款采用汽车行业编程开发以满足ISO26262安全标准的磁性位置传感器，拓展了满足汽车安全标准要求的传感器系列产品。
2016-05-06
位置传感器
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Littelfuse全新瞬态二极管旨在保护灵敏电子设备免遭浪涌和静电损坏
Littelfuse公司推出SP4042系列瞬态二极管阵列，旨在保护灵敏的电子设备免遭雷击引起的浪涌事故和静电放电的损坏。
2016-05-05
瞬变抑制二极管
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Vishay全新集成式UVA和UVB光传感器凭借Filtron技术实现高灵敏度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，光电子产品部推出新的集成式紫外(UV)光传感器---VEML6075，用于探测UVA和UVB光强。
2016-05-04
光电传感器
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更快更智能更高能效：安森美半导体全新GaN晶体管实现性能飞跃
GaN在电源应用已证明能提供优于硅基器件的重要性能优势。安森美半导体和功率转换专家Transphorm就此合作，共同开发及共同推广基于GaN的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、通信、LED照明及网络领域的各种高压应用。
2016-04-28
其它电线/缆
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Vishay推出通过AEC-Q200认证的新款多阻值厚膜片式电阻阵列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在要求较低性能的应用中替代薄膜电阻阵列的厚膜电阻阵列---CRAS0606、CRAS0612和CRAE0612等。
2016-04-27
厚膜电阻
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MACOM推出领先业界的宽带单片集成功率放大器
今日，MACOM Technology Solutions Inc.推出全新的基于砷化镓衬底pHEMT工艺制作的三级单片集成功率放大器MAAP-011199。该器件的工作频段为80-100GHz，非常适合在通信、传感器、图像及仪器等领域使用。
2016-04-20
过压过流保护
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Vishay全新中功率平面变压器具有更高效率与更小尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出功率从1kW到3kW，70mm x 53mm x 22mm小外形尺寸的新款平面变压器---PLA51。与使用传统线圈技术的变压器相比，Vishay Sfernice PLA51能提供相同的功率转移/转换，而且效率更高，重量更轻，尺寸更薄。
2016-04-19
过压过流保护
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