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NXP发布四个新20 VN-p沟槽式mosfet

发布时间:2014-08-08 责任编辑:mikeliu

【导读】NXP发布最新的沟槽式mosfet.完整的单,双版本的20 V沟mosfet在不同DFN包是可用的,提供了设计的灵活性和每一个便携和可穿戴设备的完美的解决方案。

PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB600UNE, 和 PMZB950UPE功能TrenchMOS技术。大于1千伏HBM ESD保护,莫姆drain-source-on-state阻力降至470.

他们是switching-circuits等,优化空间受限的应用,负荷开关和继电器驱动在智能手机和平板电脑。

所有三种类型被安置在超小无铅DFN1006包,只有1.0 x 0.6毫米和包高度0.37毫米,这些单晶体管类型遵循从先前公布的双重DFN1010类型:PMDXB600UNE PMDXB950UPE,PMCXB900UE。

完整的单,双版本的20 V沟mosfet在不同DFN包是可用的,提供了设计的灵活性和每一个便携和可穿戴设备的完美的解决方案。

特性和好处

沟槽式MOSFET技术

无铅的超小DFN塑料包,1.0 x 0.6毫米

静电放电(ESD)保护> 1千伏HBM

漏源极开态电阻RDSon = 470莫姆和1.02欧姆

非常低的阈值电压,方便便携式应用,vg(th)= 0.7 V

关键应用程序

继电器驱动程序

高速线路驱动器

下部负荷开关

开关电路

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