【导读】NXP发布最新的沟槽式mosfet.完整的单,双版本的20 V沟mosfet在不同DFN包是可用的，提供了设计的灵活性和每一个便携和可穿戴设备的完美的解决方案。
PMZ600UNE, PMZ950UPE, PMZB600UNE, 和 PMZB950UPE功能TrenchMOS技术。大于1千伏HBM ESD保护，莫姆drain-source-on-state阻力降至470.
他们是switching-circuits等,优化空间受限的应用，负荷开关和继电器驱动在智能手机和平板电脑。
所有三种类型被安置在超小无铅DFN1006包，只有1.0 x 0.6毫米和包高度0.37毫米，这些单晶体管类型遵循从先前公布的双重DFN1010类型:PMDXB600UNE PMDXB950UPE,PMCXB900UE。
完整的单,双版本的20 V沟mosfet在不同DFN包是可用的，提供了设计的灵活性和每一个便携和可穿戴设备的完美的解决方案。
特性和好处
沟槽式MOSFET技术
无铅的超小DFN塑料包，1.0 x 0.6毫米
静电放电(ESD)保护> 1千伏HBM
漏源极开态电阻RDSon = 470莫姆和1.02欧姆
非常低的阈值电压，方便便携式应用，vg(th)= 0.7 V
关键应用程序
继电器驱动程序
高速线路驱动器
下部负荷开关
开关电路
