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ROHM旗下LAPIS Semiconductor开发出搭载串行总线的64Kbit铁电存储器

发布时间:2016-02-26 责任编辑:susan

【导读】ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司(蓝碧石半导体)面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等,开发出搭载串行总线的64Kbit铁电存储器(以下称“FeRAM”)“MR44V064B / MR45V064B”。
 
作为下一代非易失性存储器而备受期待的FeRAM,与已普及的一般非易失性存储器相比,具有“高速数据擦写”、“高擦写耐久性”、“低功耗”的特点,因此,是一种有助于实现应用的节电化和高性能化的器件。
  
新产品不仅实现了业界顶级的1.8V最低工作电压,而且2节镍氢充电电池也可使用FeRAM。2节AAA充电电池可实现约11年的擦写寿命(每秒擦写64Kbit时)等优势,非常有助于应用实现更长时间的驱动,还可扩大应用到便携设备和IoT领域。另外,支持的最大工作频率高达40MHz(SPI总线),仅1.64msec即可完成64Kbit的数据擦写,因此,即使系统发生异常也可进行超高速备份,从而保证数据的高可靠性。不仅如此,还具备两种不同的串行总线(I2C总线、SPI总线),可灵活应对客户的系统规格。
  
本产品已从2016年1月起开始量产销售(样品价格 500日元/个,不含税)。前期工序的生产基地为ROHM总部工厂(京都市),后期工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)。
  
今后,蓝碧石半导体还会继续开发省电且高性能的产品,不断完善能够满足客户需求的、具备各种容量和接口等的产品阵容。
 
背景
  
近年来,随着节能化的发展趋势,不仅车载、工业设备,几乎在所有应用中均要求实现整个系统的低电压化。同时,随着高性能化发展,数据量日益增加,还要求更高速地将信息读取/写入到存储器。
  
蓝碧石半导体利用ROHM的铁电存储器制造技术和蓝碧石半导体的存储器设计技术双重优势,从2011年开始 逐步扩充FeRAM系列产品。
 
 
特点
 
1.最低工作电压1.8V,可实现电池的长时间驱动
  
利用ROHM的低功耗铁电工艺技术优势,以及确保低电压下选择存储器数据的晶体管栅极电位,实现了业界顶级的1.8V最低工作电压。
  
由此,仅2节镍氢充电电池也可使用存储器。例如,用2节AAA充电电池按每秒每次64Kbit(原稿纸约10张)持续进行数据擦写,也可工作约11年,因此还可应用于需要长时间电池驱动的IoT领域。
 
 
2.实现业界顶级的高速工作
  
通过减轻存储数据的铁电电容选择时的选择器负载,实现了超高速 存取。I2C支持业界顶级工作频率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持业界顶级的高达40MHz的工作频率,从而增强了FeRAM的优势之一----高速数据擦写特点。
  
64Kbit的数据擦写时间仅需1.64msec,速度非常快,因此即使发生停电等意外电压下降故障,也可在断电前备份数据,因此数据丢失的风险非常低,无需配置用于应对停电的延长供电的部件。非常适用于要求高速性且高数据保存安全性的应用。
 
 
规格概要
 
 
销售计划
 
产品名:MR44V064B/MR45V064B
量产销售时间:2016年1月起
量产销售数量:月产50万个
样品价格:500日元/个(不含税)
 
应用领域:工业设备、汽车配件、医疗设备、便携设备、IoT领域
 
术语解说:铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory)是即使断电也可保存存储数据的非易失性存储器之一,存储元件采用铁电电容,具有高速数据擦写、高擦写耐久性以及低功耗的特点。
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