【导读】美光科技股份有限公司今日宣布，开始出样业界首款同时搭载低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM 的通用闪存 (UFS) 多芯片封装 (uMCP) 产品。这款 uMCP 产品为纤薄紧凑的中端智能手机设计提供了高密度、低功耗的存储解决方案。
3 月 11 日，Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布，开始出样业界首款同时搭载低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM 的通用闪存 (UFS) 多芯片封装 (uMCP) 产品。这款 uMCP 产品为纤薄紧凑的中端智能手机设计提供了高密度、低功耗的存储解决方案。
美光的新款 uMCP5 封装采用了公司在多芯片封装方面的创新和前沿技术，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板载控制器，其与双芯片解决方案相比，占用空间减少 40%。这种优化的架构可降低功耗，缩小内存芯片尺寸，支持更小、更灵活的智能手机设计。
美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理 Raj Talluri 博士表示：“这款业内首创的 uMCP5 封装解决方案衔接了新款 LPDRAM 和 UFS，使内存和存储带宽提高 50%，同时带来更低功耗。该款产品使中端 5G 智能手机能够在超低延迟响应时间和低功耗模式下运行，从而可以支持旗舰智能手机所具备的各种功能，如搭载多枚高分辨率摄像头、多人游戏和 AR / VR 应用。”
美光 uMCP5 采用先进的 1y 纳米 DRAM 制程技术和全球最小尺寸的 512Gb 96层 3D NAND 裸片。297 引脚球栅阵列 (BGA) 封装支持双通道 LPDDR5，速度高达 6,400Mbps，性能比上一代接口提升了 50%。这款新型封装还为当今市场上的 uMCP5 提供了最高的存储和内存密度，分别为 256GB 和 12GB。
uMCP5 为美光 LPDDR5 DRAM 提供了理想的解决方案。5G 网络将于 2020 年开始在全球进行大规模部署，而美光下一代 LPDDR5 内存可满足其对更高内存性能和更低能耗的需求，同时让 5G 智能手机能以高达 6.4Gbps 的速度处理数据，在解决数据处理瓶颈问题方面会起到至关重要的作用。
美光的LPDDR5 uMCP5封装现已能立即出样给特定的合作伙伴。
关于Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）
美光科技是创新内存和存储解决方案的业界领导厂商。凭借旗下全球性品牌 Micron®（美光）和Crucial®（英睿达），美光丰富的高性能内存和存储技术组合——包括 DRAM、NAND、3D XPoint™及NOR，通过改变世界使用信息的方式来丰富生活。凭借逾40年的技术领军地位，美光的内存及存储解决方案帮助移动端、数据中心、客户端、消费端、工业、图形、汽车、网络等重要市场实现了颠覆性发展趋势，包括人工智能、5G、机器学习和自动驾驶。美光科技的普通股在纳斯达克上市交易，股票代码是 MU。
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