LTE-Advanced功放产品导购分类—电子元件技术网采购中心

LTE-Advanced功放

联芯科技业界首款支持ZUC祖冲之算法的LTE多模基带芯片

日前，联芯科技在其2012年度客户大会上，推出TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD双模基带芯片LC1761L。两款芯片为目前业界首款同时支持硬件加速ZUC祖冲之算法，3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE终端芯片，能率先满足LTE预商用背景下工信部、中国移动对于多模终端芯片的需求。

联芯科技LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片适用于LTE多模产品

日前，联芯科技推出INNOPOWER®LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片。

创毅推40纳米TD-LTE终端基带芯片WarpDrive5000

近日，创毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺 WarpDrive 5000芯片。该款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模，采用40纳米工艺，兼容3GPP LTE 标准 (Release-9)，采用超低功耗设计，支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换，支持CAT4速率等级，下行高达150Mbps，值得一提的是该款产品是全球第一款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的芯片。

Sequans首款LTE基带系统芯片得到中国移动的青睐

4G芯片厂商Sequans公司宣布,很快将向其主要客户提供首款LTE芯片SQN3010的试用品。经过数月的开发,该芯片将首先交付中国移动使用。作为TD-LTE技术的主要倡导者,中国移动选择Sequans为其提供TD-LTE芯片和USB适配器,用于中国移动在上海2010年世博会部署的世界首个TD-LTE示范网。