【导读】近日，瑞萨电子推出两款全新超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列——16Mb RMLV1616A系列以及32 Mb RMWV3216A系列，为工厂自动化（FA）、智能电网、工业设备等应用提供更为出色的可靠性并延长备用电池的使用寿命。
全新SRAM系列采用110纳米制造工艺，融合最新的存储单元技术，大幅提升可靠性的同时也有助于延长电池的工作时间。
业内对用户系统安全性和可靠性的要求日渐提高，而SRAM作为存储系统程序和财务交易数据等重要信息的载体，必须具备高水平的可靠性。因此，如何减少因阿尔法辐射和宇宙中子辐射造成的软失效成为了一项重点课题。通常情况下，解决这一问题的处理方式是在SRAM或用户系统中加入内部纠错（ECC）电路。但ECC电路的纠错能力具有一定的局限性，例如：可能无法同时纠正多个位元的错误。
瑞萨的超LP SRAM的存储器单元采用其独有技术，抗软失效能力是传统全CMOS型存储单元的500多倍，使其成为了对可靠性具有高要求的应用领域的理想之选，包括工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、工业设备以及消费电子设备、办公设备和通讯设备等诸多其他应用领域。
主要特点：
(1) 采用瑞萨独有的超LP SRAM技术，大幅提升了抗软失效能力，实现了更良好的可靠性
在瑞萨超LP SRAM的结构方面，存储单元中的每个存储节点都结合了堆叠电容技术，从根本上预防了软失效的出现。此外，每个SRAM单元的负载晶体管（P沟道）为多晶硅薄膜晶体管（TFT），堆叠于硅基板的N沟道MOS晶体管之上。在硅基板下方仅形成N沟道晶体管，这样可确保存储区内不形成寄生晶闸管，并从理论上杜绝闩锁效应。因此，对于需要严格保证高水平可靠性的应用环境（如：工厂自动化、测量设备、智能电网相关设备、交通系统、工业设备等）而言，超LP SRAM可谓理想之选。
(2) 待机电流比上一代产品降低了50%以上，有助于延长备用电池使用寿命
全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16Mb产品的待机电流仅为0.5µA（典型值），32Mb产品的待机电流仅为1µA（典型值）。新产品的电流消耗水平比瑞萨先前推出的同类SRAM产品降低了50%以上，有效延长了备用电池的使用寿命。保存数据时的最低电源电压为1.5V，低于先前瑞萨同类产品的2.0V。
(3) 封装选项
16 Mb RMLV1616A系列提供三个封装选项：48球FBGA、48管脚TSOP(I)及52管脚µTSOP (II)，客户可根据自身的应用需求来选择最适合的封装方案。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引脚的FBGA封装。
有关全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要规格，请参见单独的说明页(PDF: 85 KB)。
定价和供货：
RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的样品将于9月发布，定价根据存储容量而有所不同。例如，16Mb RMLV1616A系列的单价为16.5美元，32Mb RMWV3216A系列的单价为31美元。上述两个系列的量产预计将于2015年10月启动。采用110纳米工艺的4Mb和8Mb超LP SRAM产品已经开始量产。
