【导读】6月8日讯，从去年 12 月武汉新芯 50 纳米闪存技术取得突破，随后投入量产准备。从 65 纳米到 50 纳米的跃升，武汉新芯用了 18 个月。
6月8日讯，从去年 12 月武汉新芯 50 纳米闪存技术取得突破，随后投入量产准备。从 65 纳米到 50 纳米的跃升，武汉新芯用了 18 个月。
近日，武汉新芯集成电路制造有限公司自主研发的 50 纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全线量产。
目前，在全球 NOR Flash 存储芯片领域，业界通用技术为 65 纳米。武汉新芯新一代 50 纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。
Flash 指非易失性存储介质，此次量产产品为宽电源电压产品系列 XM25QWxxC，容量覆盖 16 兆到 256 兆。性能测试显示，在 1.65 伏至 3.6 伏电压范围内，该系列 NOR Flash 存储芯片的工作频率可达 133 兆赫，即使在零下 40℃或 105℃这种极端温度下，依然不会停止“芯跳”。其无障碍重复擦写可达 10 万次，数据保存时间长达 20 年。
研发人员介绍，作为 NOR Flash 存储芯片中的“闪电侠”，该芯片在连续读取模式下，能实现高效的存储器访问，仅需 8 个时钟的指令周期，即可读取 24 位地址。不仅如此，它还可使便携式设备的电池寿命延长 1.5 倍以上，令用户通过宽电压功能实现更好的库存管理。
武汉新芯运营中心副总裁孙鹏表示，“对此次研发而言，最难的挑战是速度、功耗和可靠性。”随着 50 纳米 NOR 闪存的重大突破，武汉新芯将在性能和成本上进一步提高竞争力，针对快速发展的物联网和 5G 市场，持续研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线。
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