【导读】7月20日——东芝存储器株式会社(Toshiba Memory Corporation)今日宣布，公司已成功开发出其享有专利的3D闪存——96层BiCS FLASH™的原型样品，该产品采用四位元（四阶存储单元，QLC）技术，可将单芯片存储器的存储容量提升至最高水平。
自9月初起，东芝存储器株式会社将开始向SSD和SSD控制器制造商交付样品供其进行评价，预计批量生产将于2019年启动。
QLC技术的优点在于实现每存储单元数据位数从3位元到4位元的提升，实现了存储容量的显著提高。该新产品在与西部数据公司联合开发的单芯片中实现了1.33太比特的业界最大存储容量 [1]。
此外，该产品还在采用单一封装的16芯片堆叠式结构中实现了无与伦比的2.66TB存储容量。随着社交网站的普及和物联网的发展，移动终端等设备产生的海量数据不断增加，实时分析和利用数据的需求预计将大幅增加。因此，需要速度快于HDD且存储容量更大的存储器，而使用96层工艺技术的QLC产品即是一种解决方案。
该新器件封装成型的原型机将在8月6-9日于美国加州圣克拉拉举行的2018年闪存峰会上亮相。
未来，东芝存储器株式会社将继续提高存储器的存储容量和性能，并开发满足各种市场需求的3D闪存，包括快速扩张的数据中心存储器市场。
注：1.资料来源：东芝存储器株式会社，截至2018年7月20日。
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