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SkyHigh Memory选用1x nm工艺制程扩展其SLC NAND闪存产品线

发布时间:2021-10-12 责任编辑:lina

【导读】作为嵌入式存储解决方案的全球领导者之一,SkyHigh Memory 正在推出 3.0V 的 1Gb - 4Gb(4K 页面)和 2KB ML-3 系列 NAND Flash 。为确保优异性能,SkyHigh SLC NAND 闪存新品采用了业内领先的 1x nm 工艺制程。需要指出的是,该公司初代串行(SPI)与第三代并行 SLC NAND 提供了不同的接口,且完善了已投产的 ML-3(4Gb - 16Gb)产品线。

 

作为嵌入式存储解决方案的全球领导者之一,SkyHigh Memory 正在推出 3.0V 的 1Gb - 4Gb(4K 页面)和 2KB ML-3 系列 NAND Flash 。为确保优异性能,SkyHigh SLC NAND 闪存新品采用了业内领先的 1x nm 工艺制程。需要指出的是,该公司初代串行(SPI)与第三代并行 SLC NAND 提供了不同的接口,且完善了已投产的 ML-3(4Gb - 16Gb)产品线。


SkyHigh Memory选用1x nm工艺制程扩展其SLC NAND闪存产品线

(来自:SkyHigh Memory)


新的 1 Gb - 4 Gb 设备将为关键数据提供存储支撑,让系统能够在 +105 ℃ 的高温下可靠运行。


得益于内建的 ECC 引擎,ML-3 系列可支持低至 1-bit ECC 引擎的芯片组,以适应具有更高 ECC 引擎的传统 / 现代芯片组。


ML-3 系列还提供了各种安全功能,能够保护敏感的启动代码、系统固件和应用程序的完整性,使之免受恶意软件的侵害。


SkyHigh Memory 宣称,ML-3 系列产品线非常适合高可靠性 / 安全应用,包括工业控制、网络设备、物联网应用、以及机顶盒。


首席执行官 GH Bae 表示:我公司完整的 ML-3 NAND 闪存产品线能够提供高可靠性和增强的安全性,具有高性能应用所需的串 / 并行接口。


其符合我们为快速增长的目标市场提供高可靠性 / 安全存储器解决方案的总体战略,并且涵盖了工业、网络和物联网等领域。


据悉,安全系统需要对存储元件采用特殊的设计,以免其中存储的数据可免受编程 / 擦除操作的影响。


具体说来是,SkyHigh Memory ML-3 SLC NAND 闪存产品提供了竞品缺失的两套保护机制 —— 易失性 / 永久块保护。


Volatile Block Protection 可保护整个存储器的内容,此时保护参数设置是易失性的,因此必须在上电时加载到设备中。


Permanent Block Protection 的保护参数设置是永久的,并且在产品的生命周期内仅编程一次(简称 OTP),最多可永久保护 64Mb 。


此外,ML-3 SLC NAND 产品系列器件包含 1 Mb 的 OTP,这是市场上所有 SLC NAND 中最大的 OTP 。


最后,SkyHigh Memory 的初代 ML-3 串行接口(SPI)SLC NAND 存储器采用了 8 引脚 LGA(6mm × 8mm)封装,以节省 PCB 板空间并简化电路布局。


至于 ML-3 并行(Parallel)SLC NAND 存储器,其为第 1 / 2 代 SkyHigh Memory 并行接口 SLC NAND 存储器提供了迁移路径(具有外形 / 安装兼容性),并且采用了业内标准的 48 引脚 TSOP(12mm × 20mm)和 63 引脚 BGA(9mm × 11mm)封装。


其中 2Gb / 4Gb ML-3 串 / 并行 SLC NAND 闪存现已向合作伙伴出样, 而 1Gb ML-3 串 / 并行 SLC NAND 闪存 SKU 则要等到 2022 年 1 月。


来源:cnBeta.COM


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