【导读】X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，已为其XP018高压（HV）车用产品工艺推出全新闪存功能。这款新的闪存IP利用X-FAB得到广泛验证的氮化硅氧化物（SONOS）技术——该技术具备更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合严格的AEC100-Grade 0汽车规范，可承受在-40°C至175°C的温度范围内工作，并完全支持ISO 26262规定的功能安全级别。其阵列大小为32KB，采用8K×39位配置，带有32位数据总线；另外7位专用于错误代码校正（ECC），以确保零缺陷的现场可靠性。
2021年4月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号与光电半导体解决方案晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，已为其XP018高压（HV）车用产品工艺推出全新闪存功能。这款新的闪存IP利用X-FAB得到广泛验证的氮化硅氧化物（SONOS）技术——该技术具备更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合严格的AEC100-Grade 0汽车规范，可承受在-40°C至175°C的温度范围内工作，并完全支持ISO 26262规定的功能安全级别。其阵列大小为32KB，采用8K×39位配置，带有32位数据总线；另外7位专用于错误代码校正（ECC），以确保零缺陷的现场可靠性。
X-FAB专有的XSTI嵌入式非易失性存储器（NVM）IP测试接口也已包括在内，以达成对存储器的完全串行接驳。
该款汽车级闪存IP能够运行于单个1.8V电源，非常适用于低功耗设计。新增的内置自检（BIST）模块对于实现有效的存储器测试以及全面的产品调试至关重要。如需要，X-FAB还可以为客户带来完整的NVM测试服务。
“这一全新IP解决方案进一步丰富了X-FAB针对180nm开放技术平台的嵌入式闪存产品组合；该平台具有多种电压与晶圆材料可供选择，扩大了我们向市场提供的产品阵容，使我们能够满足客户在更多应用中的需求。”X-FAB公司NVM开发总监Thomas Ramsch表示，“在低功耗和需要适应挑战性环境的情况下，它将具有特殊的价值。”
“在现有X-FAB平台上增加的全新嵌入式闪存功能，将实现更小的面积占比，从而为我们的客户带来更明显的收益。此外，XP018的模块化方法意味着其仅需要更少的掩膜层。这两个因素都将有助于推动晶片成本的显著优化。”X-FAB公司NVM解决方案技术营销经理Nando Basile补充道，“全新闪存IP意味着XP018现在能够以高度经济高效的方式应对需要额外逻辑内容和计算资源的混合信号及高压等应用。这将特别适用于电池供电的设备，如便携式或自主智能传感器；并在医疗保健、工业、消费和物联网领域发挥巨大潜力。”
缩略语：
●BIST 内置自检
●ECC 错误代码校正
●HV 高压
●IP 知识产权
●NVM 非易失性存储器
●SONOS 氮化硅氧化物
关于X-FAB：
X-FAB是领先的模拟/混合信号和MEMS晶圆代工集团，生产用于汽车、工业、消费、医疗和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0µm至130nm的模块化CMOS和SOI工艺，及其特色SiC与微机电系统（MEMS）长寿命工艺，为全球客户打造最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新的解决方案。X-FAB的模拟数字集成电路（混合信号IC）、传感器MEMS在德国、法国、马来西亚和美国的六家生产基地生产，并在全球拥有约3,800名员工。
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